赵倩
,
丁铁柱
,
朱志强
,
王强
,
张利文
,
胡翠英
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2007.06.005
用固相反应法合成了钙钛矿型复合氧化物Nd1-xSrxFeO3-δ(x=0.2,0.4,0.6,0.8)样品,对各样品作了结构分析,对x=0.4样品作了热重分析,测试了各样品在不同温度下的直流电导率,给出了活化能,分析了材料的电输运机理.结果表明,所有样品都呈类钙钛矿结构,在低温段,载流子具有p型小极化子导电特征.对于这种电输运特性,结合材料的失氧规律,给出了合理的解释.
关键词:
Nd1-xSrxFeO3-δ
,
晶体结构
,
p型小极化子
,
电输运性能
段兴凯
,
胡孔刚
,
丁时锋
,
满达虎
,
金海霞
材料科学与工程学报
采用真空熔炼及热压烧结方法制备了Na和Ga共掺杂n型Bi2Te2.7Se0.3热电材料.XRD结果表明,Na0.04Bi1.96-xGaxTe2.7Se0.3块体材料的XRD图谱与Bi2Te2.7Se0.3的图谱对应一致.通过EDAX技术对Na0.04Bi1.96-xGaxTe2.7Se0.3块体材料的成分进行了分析,无氧化现象.在298～523K温度范围内,在垂直于热压方向对样品的电热输运性能进行了测试分析,结果表明Na和Ga共掺杂可以有效地提高Bi2Te2.7Se0.3的载流子浓度,从而使电导率得到明显改善,但同时Seebeck系数有不同程度的损失.由于晶格热导率减小,Na掺杂及共掺杂样品Na0.04Bi1.96-xGaxTe2.7Se0.3(x=0.04)均使热导率降低.当Na掺杂浓度为0.04时,随着Ga掺杂浓度的增加,热导率呈现递增的现象,Na和Ga共掺杂样品Na0.04 Bi1.96-xGaxTe2.7Se0.3(x=0.04)的热电优值获得了较明显的提高,在398K时的最大ZT值为0.75.
关键词:
共掺杂
,
Bi2Te2.7Se0.3
,
电输运性能
,
热输运性能
韦金明
,
张飞鹏
,
张久兴
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2014.03.019
采用平面波超软赝势密度泛函理论计算方法研究了p型Cu掺杂的纤锌矿结构氧化物ZnO的电子结构,在此基础上分析了其电输运性能.计算结果表明, Cu掺杂ZnO氧化物具有0.6 eV的直接带隙,且为p型半导体,在导带和价带中都出现了由Cu电子能级形成的能带,体系费米能级附近的能带主要由Cu p态、Cu d态和Op态电子构成,且他们之间存在着强相互作用.电输运性能分析结果表明,Cu掺杂的ZnO氧化物价带中的载流子有效质量较大,导带中的载流子有效质量较小;其载流子输运主要由Cu p态、Cu d态、Op态电子完成,且需要载流子(空穴和电子)跃迁的能隙宽度较未掺杂的ZnO氧化物减小.
关键词:
材料
,
ZnO氧化物
,
Cu掺杂
,
电子结构
,
电输运性能
马人佺
,
曲秀荣
,
吕树臣
,
徐岩岩
,
崔乃庚
机械工程材料
doi:10.11973/jxgccl201606005
采用溶胶-凝胶与热压相结合的方法制备了镍掺杂 Ca3 Co4 O9＋δ基热电陶瓷,研究了镍掺杂量对其显微结构和电输运性能的影响。结果表明：随着镍掺杂量的增加,Ca3 Co4 O9＋δ基陶瓷的晶粒尺寸减小、织构含量降低、取向度下降；镍掺杂后使陶瓷晶界散射增强,导致电阻率和泽贝克系数增大,而功率因子降低,说明镍掺杂降低了该陶瓷的电输运性能。
关键词:
热电陶瓷材料
,
镍掺杂
,
显微结构
,
电输运性能
段兴凯
,
江跃珍
材料科学与工程学报
用瞬时蒸发法在加热到453 K的玻璃基体上沉积出了厚度在40-160nm的多晶Bi纳米薄膜.用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微术(FE-SEM)分析了薄膜的相结构和表面形貌.在300-350K研究了薄膜厚度与电阻率的关系,随着薄膜厚度增加,电阻率并不是单调减小;随着温度增加,电阻率减小.温度在300K时,Bi薄膜的电阻率在0.36-0.46mΩ·cm之间变化.随着薄膜厚度的增加,Seebeck系数增加.电子浓度、迁移率与薄膜厚度的关系表明薄膜的电输运性能随薄膜厚度的变化而波动.
关键词:
铋薄膜
,
电输运性能
,
瞬时蒸发
