耿秋菊
,
周荣明
,
印仁和
,
郁祖湛
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2005.03.002
在已有各种工艺因素对电解涂硅量影响研究的基础上,对在高电流密度(100～200 A/dm2)及短时间(0.1 s)电解条件下电解涂覆薄层(纳米量级)SiO2机理进行了初步研究,实验模拟了实际生产中采用的中间导体法,并运用多种测试方法对电解涂硅的机理进行了分析探讨,揭示了高电流密度下电解脱脂涂硅的吸附本质及SiO2在钢板表面的空间分布,并就钢板阴阳极两面涂硅量的不同原因进行了解释.
关键词:
中间导体法
,
电解涂覆二氧化硅
,
纳米
