王美娟
,
王日初
,
彭超群
,
冯艳
,
张纯
中国有色金属学报
采用循环伏安(CV)和恒电位阶跃(CA)等电化学技术,研究金刚石粉体对Ni电结晶形核/生长的影响,并通过扫描电镜观察复合镀层的表面形貌.结果表明:在Ni?金刚石复合镀液中,金刚石粉体吸附在阴极表面,对阴极产生屏蔽作用,Ni2+的有效放电面积减小,阻碍电荷转移,使复合镀液在循环伏安曲线中的还原电流降低;金刚石粉体缩短了Ni电结晶的形核驰豫时间(tmax),形核过电位正移,促进Ni电结晶形核;电镀时间越长,金刚石复合量越小,镀层表面越粗糙;Ni?金刚石复合镀液和纯Ni镀液的Ni电结晶形核可能为多晶沉积.
关键词:
金刚石
,
复合电镀
,
Ni
,
电结晶
,
形核
,
生长
,
多晶沉积
陈应龙
,
辜敏
材料保护
研究金属或半导体在溶胶中的电化学行为对电化学和溶胶-凝胶(sol-gel)法结合制备掺杂金属和半导体的复合凝胶薄膜有极大指导意义.用循环伏安(CV)和计时安培(CA)法研究了电化学和sol-gel法结合制备Cu-SiO2凝胶薄膜时不同pH值CuSO4硅溶胶中Cu在玻碳电极上的电沉积和电结晶行为.结果表明:在pH=1.0 ～3.0的CuSO4硅溶胶中,Cu2+的扩散系数在pH =2.0时最小,pH=1.0时较pH =3.0时大,这也是造成硅溶胶中pH =2.0时还原最难,pH =3.0时次之,pH=1.0时最易的原因;Cu在硅溶胶中的电沉积为Langmuir型吸附-三维瞬时成核机理;硅溶液中Cu2的传递系数均大于0.9,存在吸附层;Cu2在吸附过程的总放电量Qads随pH值增大而增大;Cu的成核数密度都随电位增大而增大,随pH值增大而减小,故pH值在1.0 ～3.0内越大越不利于制备Cu-SiO2薄膜.
关键词:
Cu-SiO2凝胶薄膜
,
电化学法
,
溶胶-凝胶法
,
循环伏安法
,
计时安培法
,
电沉积
,
电结晶
丁辛城
,
彭代明
,
陈梓侠
,
程骄
电镀与涂饰
通过极化曲线、电化学阻抗谱、计时电流等电化学测量方法研究了整平剂TS-L对铜电沉积的影响.基础镀液组成为:CuSO4·5H2O 75 g/L,H2SO4 240 g/L,Cl-60 mg/L.结果表明,TS-L会抑制铜的电沉积,有利于得到平整、光亮的镀层.随TS-L用量增大,其抑制作用增强.TS-L的用量为50 mg/L时,铜的电沉积由基础镀液的三维瞬时成核转变为三维连续成核.随TS-L质量浓度的增大,镀液的深镀能力提高.在电镀液中添加50 mg/L整平剂TS-L、10 mg/L光亮剂TS-S和600 mg/L抑制剂TS-W时,深镀能力为87％,铜镀层的延展性和可靠性满足印制线路板行业的应用要求.
关键词:
电镀铜
,
整平剂
,
深镀能力
,
极化
,
电结晶
,
延展性
,
可靠性
涂思京
,
闫晓东
,
赵月红
,
胡国平
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.04.011
研究了阴极辊焊缝处组织与电解铜箔表面上形成的光亮带之间的关系. 研究发现, 在电解铜箔生产中, 阴极辊表面焊缝处组织与基体金属组织晶粒尺寸不同级, 因此电流在阴极上分布不均匀, 在相同时间内沉积的铜箔厚度也不均匀, 厚度差引起铜箔色差, 形成光亮带; 从电结晶的角度看, 焊缝处晶粒尺寸大、分布的电流密度低, 因此, 在焊缝处沉积的铜箔的晶粒尺寸也较大, 焊缝斑被原样复制.
关键词:
铜箔
,
光亮带
,
阴极辊
,
哑光处理
,
电解沉积
,
电结晶
李杰
,
李运刚
,
刘丽敏
,
蔡宗英
,
张新宇
,
刘日平
稀有金属材料与工程
利用循环伏安法、计时电势法和计时电流等方法,研究了钨在700℃的NaCl-KCl-NaF-Na2WO4熔盐中的电化学反应机理和电结晶过程.结果表明,钨的电化学反应过程为由离子扩散速率和电子迁移速率混合控制的准可逆过程,钨的电结晶过程为瞬时形核、三维半球型形核过程,XaCl:XKCl∶XaF∶XNa2WO4=2∶2∶1∶0.01的实验条件下钨离子的扩散速率为2.543×10-5 cm·s-1.
关键词:
NaCl-KCl-NaF-Na2WO4
,
钨
,
电化学还原机制
,
电结晶
王帅星
,
赵晴
,
简志超
,
何伟
,
赵琳
材料保护
银的电结晶过程直接影响银镀层的性能,但目前很少关注聚乙烯亚胺(PEI)对银电沉积过程的影响.采用循环伏安、计时电流及交流阻抗技术研究了硫代硫酸盐体系中添加PEI前后银电沉积的电化学行为,结合扫描电镜分析了银的电结晶方式.结果表明:PEI对银在硫代硫酸盐体系中的电沉积有阻化作用,添加0.08 g/LPEI可使反应电阻由176.3 Ω·cm2增至427.1 Ω·cm2;加入PEI不改变银的电结晶形核机理,银仍按三维连续成核方式生长,PEI能提高银电结晶成核速度,但会抑制晶体向外生长.
关键词:
电沉积
,
银
,
电结晶
,
聚乙烯亚胺(PEI)
,
硫代硫酸盐体系
欧铜钢
,
王建兴
,
潘勇
,
郑军
,
周兆锋
材料保护
关于硫酸盐体系中镀铜的沉积机理少见报道,采用循环伏安法和计时电流法研究了铟在硫酸盐体系中电沉积的循环伏安特性与电结晶机理.通过分析恒电位暂态曲线,求出铟离子的扩散系数D和不同电压下的晶核密度N_0.结果表明:铟的电沉积没有经历欠电位沉积过程,而是经历了晶核形成过程,其电沉积反应是一个不可逆过程;在外加电位范围内铜的电结晶按照瞬时成核方式和三维生长方式进行.
关键词:
铟电沉积
,
硫酸盐
,
玻璃碳电极
,
电结晶
,
成核机理
印仁和
,
施文广
,
秦勇
,
曹为民
,
吕康
,
周天健
,
张益
,
于新根
金属学报
采用０．０５ｍｏｌ／Ｌ Ｈ３ＢＯ３＋０．０１ｍｏｌ／Ｌ ＣｏＳＯ４溶液, 在Ｐｔ（１１１）面上获得了电结晶Ｃｏ利用电化学扫描隧道显微镜（ＥＣＳＴＭ）及反射电子显微镜（ＲＥＭ）, 观察了不同过电位时Ｃｏ的成膜过程, 证实了Ｃｏ在Ｐｔ（１１１）面上的电结晶均为三维岛状生长方式.
关键词:
电结晶
,
null
,
null
,
null
,
null
曹为民
,
石新红
,
印仁和
,
朱律均
,
胡滢
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.04.019
在硼酸镀液体系中采用流动槽滴入法电结晶制得Cu/Co纳米多层膜,通过循环伏安法确定Cu、Co电结晶电位,分别为-0.55V和-1.05V(vs.SCE),通过X射线衍射技术(XRD)和X射线荧光光谱法(XRF)对Cu/Co纳米多层膜的结构、成份进行了分析.并用物性测量系统PPMS测试了Cu/Co多层膜的磁性能,结果表明:电结晶制备的Cu/Co多层膜的矫顽力比较小,仅为34 Oe,适合作巨磁阻磁头材料,其磁电阻随磁场强度的增大而减小,且约在3000 Oe时磁电阻趋于饱和,此时的巨磁阻效应GMR值达到了14%.
关键词:
电结晶
,
流动槽滴入法
,
Cu/Co纳米多层膜
,
X射线衍射
,
GMR
赵旭山
,
谭澄宇
,
陈文敬
,
刘宇
,
李劲风
,
郑子樵
中国有色金属学报
利用循环伏安方法和恒电位阶跃技术研究Ni-SiC复合镀层电沉积行为.结果表明:Ni-SiC复合镀层和纯Ni镀层的形核/生长过程符合Scharifker-Hill三维成核模型;在低过电位下,Ni-SiC复合镀层形核/生长过程按三维连续成核机制;高过电位下,形核/生长过程遵循瞬时成核机制,与纯Ni镀层的形核/生长过程具有一致性;无论Ni-SiC复合镀层还是纯Ni镀层,形核弛豫时间tm随负电位的增大呈现有规律递减趋势,相应的,Im值基本相近;SiC粉体的引入导致Ni形核的过电位正移和tm的显著减小.
关键词:
电结晶
,
形核
,
循环伏安
,
恒电位阶跃
