韩立仁
,
邓湘云
,
杨仁波
,
张艳杰
,
谭忠文
,
杨学良
,
李德军
功能材料
采用溶胶-凝胶方法制备了（Ba0.90Ca0.10）TiO3陶瓷,在电场1.5～20kV/cm下,在频率为0.01～10Hz范围内,对其电滞回线进行了分析。实验结果表明（Ba0.90Ca0.10）TiO3陶瓷的电滞回线随电场值和频率的变化明显,在低电场下,随着频率的增加矫顽场（Ec）单调减小,在低频下剩余极化（Pr）增加;而在高电场下,随着频率的增加Ec单调增大,电滞回线达到饱和时,电滞回线随不同测试频率无明显变化。
关键词:
溶胶-凝胶
,
陶瓷
,
电滞回线
,
铁电性
,
电场
邵春玉
,
王兢
,
刘梦伟
,
董维杰
,
崔岩
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.02.005
采用sol-gel工艺在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了不同条件的锆钛酸铅(PZT)薄膜.分析了不同的前烘温度、不同锆钛比例对PZT薄膜的微观结构和电特性所产生的影响.SEM分析结果显示,铁电薄膜的晶化较完善,薄膜表面均匀致密.用X射线衍射分析了不同条件制备的PZT薄膜,表明薄膜的微观结构和取向不仅对热处理的条件非常敏感,而且也深受薄膜组分的影响.铁电测试表明对PZT(锆/钛=30/70),300℃热处理的薄膜具有最大的自发极化值.而对于不同锆钛比的薄膜,在准同型相界附近的53/47配比的PZT薄膜表现出最好的铁电性、介电性和最高的体电阻率.
关键词:
锆钛酸铅
,
溶胶-凝胶
,
前烘温度
,
薄膜组分
,
电滞回线
赵成
,
石竹南
,
毛翔宇
,
杨晓秋
,
陈小兵
,
张志刚
,
朱劲松
功能材料
用金属有机物分解(MOD)以及sol-gel方法制备了SrBi2Ta2O9(SBT)铁电薄膜.经测量在750℃晶化的SBT薄膜具有很好的铁电性能.通过对SBT样品极化反转过程进行测试,得到了外加电压(0.5～5V)与SBT薄膜的开关时间(100～600ns)及极化反转电荷的关系.并研究了不同气氛下退火对SBT铁电薄膜开关特性的影响.
关键词:
钽酸锶铋
,
电滞回线
,
极化反转
,
开关时间
杜明辉
,
姜庆华
,
彭增伟
,
刘保亭
功能材料
采用溶胶-凝胶的方法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了5％Mn掺杂的BiFeO3(BFMO)薄膜,并构建了Pt/BFMO/Pt对称型电容器,研究了紫光对多晶BFMO薄膜铁电性及J-V特性的影响.实验发现,在紫光的照射下,薄膜的电导增大,这是由于紫光入射在BFMO薄膜上,产生了光生我流子.当外加电压为5V时,漏电流密度由9.1mA/cm2增大到16.3mA/cm2.Pt和BFMO的接触满足金属-半导体理论中的欧姆接触,并且光的存在并没有改变Pt/BFMO/Pt电容器的漏电流机制.当光入射到薄膜表面,样品的剩余极化强度增大,由无光时的91.7μC/cm2增大到光照时的99.9μC/cm2.
关键词:
掺锰铁酸铋
,
光
,
漏电流
,
电滞回线
徐国敏
,
赵高扬
,
张卫华
,
邓小翠
,
谭红
,
何力
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.013
应用基于原子力显微镜与铁电分析仪联用的方法,在无顶电极的情况下,直接测试了PZT微阵列格点的电滞回线.结果表明,应用铁电分析仪与原子力显微镜联用的测试技术能够表征铁电电容的电滞回线,并且可以定性地评价薄膜微电容的铁电特性.
关键词:
锆钛酸铅
,
铁电薄膜
,
电滞回线
,
微细图形
李文芳
,
韩冰
,
彭继华
功能材料
利用微弧氧化技术在钛衬底上直接制备了四方相钛酸钡铁电薄膜.利用X射线(XRD)、HP4192A阻抗分析仪和铁电测试系统(FTS)等手段对薄膜样品的相结构、介电和铁电性能进行了研究.结果表明,工艺参数为Ba(OH)2浓度为0.5mol/L,电流密度为150mA/cm2,温度为57℃,反应时间5～20min的薄膜主要要由四方相BaTiO3构成.在微弧氧化过程中,弧点的连续移动是形成四方相BaTiO3的主要原因.此工艺参数下薄膜的剩余极化值为0.271和-4.62μC/cm2(Pr),与其对应的矫顽场强度分别为20和-2.8kV/cm(Ec).该薄膜具有良好的铁电性能.
关键词:
微弧氧化
,
铁电薄膜
,
BaTiO3
,
电滞回线
毕振兴
,
张之圣
,
胡明
,
樊攀峰
,
刘志刚
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.04.002
在SiO2/Si基片上采用直流对靶溅射技术制备出Pt/Ti底电极;应用射频磁控溅射方法,利用快速热处理(RTA)工艺,制备出了具有良好铁电性能的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜.将样品进行10min快速热退火处理,退火温度700℃.测试分析表明:薄膜厚度比较均匀、表面基本平整、没有裂纹和孔洞、致密性好、薄膜样品的矫顽场强(Ec)为28.6kV/cm,剩余极化强度(Pr)为18.7μC/cm2,自发极化强度(Ps)为37.5μC/cm2,是制备铁电薄膜存储器的优选材料.
关键词:
PZT
,
直流对靶溅射
,
射频磁控溅射
,
锆钛酸铅薄膜
,
钙钛矿相
,
电滞回线
孙清池
,
左孝杰
,
徐庭献
,
王裕斌
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2001.03.002
研究了软性铌锑-锆钛酸铝Pb(Sb1/2 Nb1/2)ZrTiO3(简称SN)系及硬性锑锰-锆钛酸铅Pb(Mn1/3 Sb2/3)ZrTiO3(简称MS)系压电陶瓷电场E3和应变S1的关系.压电方程为S1=d31 E3,在弱电场下为线性关系.随着电场增加,压电应变系数d31变大,从而不再是常数.当电场E3增大到某一值时d31有极大值,我们称此电场为饱和电场Es.软性SN三元系压电陶瓷的退极化电场Ed为12.7kV/cm,小于它的矫顽场Ec(13.6kV/cm)以及d31极大值(-457pC/N)时的饱和电场Es(14kV/cm).而硬性MS三元系压电陶瓷的退极化电场Ed和d31极大值(-202pC/N)时的饱和电场Es相等,均为24kV/cm,大于它的矫顽电场Ec(18.6kV/cm).软性SN三元系压电陶瓷在较低的电场下就可产生很大的应变.而硬性MS三元系压电陶瓷可以施加很大的反向电场.
关键词:
压电应变系数D31
,
退极化电场Ed
,
矫顽电场Ec
,
饱和电场Es
,
电滞回线
刘越峰
,
郑海务
,
马兴平
,
王超
,
张华荣
,
顾玉宗
材料导报
采用化学溶液法在Si(111)衬底上制备了YMnO3薄膜.XRD结果表明,所制备的薄膜为六方纯相YMnO3,且具有部分择优取向生长.以Pt为顶电极,测试了YMnO3薄膜的电滞回线,结果表明,所制备的YMnO3薄膜具有良好的铁电性质.
关键词:
六方YMnO3
,
薄膜
,
Si(111)
,
择优生长
,
电滞回线
