蔡莉莉
,
李海军
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.02.018
应用兀FTIR技术研究了1.5 MeV不同剂量电子辐照直拉硅(CZ-si)的V-O缺陷在不同温度热处理时的行为.发现随着辐照剂量的增加,间隙氧的吸收峰不断下降,而VO(830 cm-1)强度迅速增加,并且其退火温度随辐照剂量的增加而升高,伴随830 cm-1峰的出现,在860 cm-1处出现一弱的吸收峰,两者有着相似的退火行为.VO0(830 cm-1)与样品中的初始间隙氧含量无关.400℃热处理,出现了889cm-1对应的复合体VO2,其形成主要在退火初期,该峰强度不随退火时间发生变化,但与初始氧含量有关.
关键词:
电子辐照
,
辐照缺陷
,
VO
,
FTIR
阳生红
,
张曰理
,
莫党
,
何捷
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.006
本文利用1.7 MeV电子辐照MgAl2O4尖晶石后,通过吸收谱测量表明,被电子辐照的尖晶石可产生大量的F型色心缺陷, 而且电子的辐照剂量明显地影响尖晶石的光谱特性.随着电子辐照剂量增加, F型色心缺陷的浓度增大;椭偏光谱分析得到的光学常数谱随电子辐照剂量的变化而改变.我们对上述现象进行了合理的分析.
关键词:
MgAl2O4尖晶石
,
电子辐照
,
吸收谱
,
F型色心
,
椭偏光谱
卢勇
,
林理彬
,
卢铁城
,
何捷
,
邹萍
功能材料
利用能量为1.7MeV、注量分别为1013～1015/cm2的电子辐照VO2薄膜,采用XPS、XRD等测试手段对电子辐照前后的样品进行分析,并采用光透射性能和电学性能测试研究了电子辐照对样品相变过程中光电性能的影响.结果表明电子辐照在VO2薄膜中出现变价效应,产生新的X射线衍射峰,带来薄膜化学成分的变化.电子辐照在样品中产生的这些变化对VO2的热致相变特性有明显影响.
关键词:
VO2薄膜
,
结构
,
相变性能
,
电子辐照
蔡莉莉
,
李晶
材料导报
主要研究了1.5MeV、剂量为3.5×1017e/cm2的电子辐照后的直拉硅经后续高温热处理,其体内氧沉淀的变化情况以及清洁区的形成.结果表明,电子辐照促进了直拉硅中氧沉淀的生成,而且经过快速热处理再加上高温一步退火,电子辐照后的直拉硅内形成一定宽度的清洁区,而且清洁区的宽度随快速热处理温度的升高而变窄.
关键词:
电子辐照
,
氧沉淀
,
快速热处理(RTP)
,
清洁区(DZ)
周康宁
,
张崇宏
,
崔舜
,
胡晓康
,
马通达
稀有金属
doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2015.09.002
在室温(20 ℃)和高温(450 ℃)下,使用1 mV-高压透射电子显微镜(TEM)原位观察了V-4Cr-4Ti合金微观组织结构的演化和点缺陷团簇行为.原位电子辐照诱导Ti-C-O析出物发生分解,并引入缺陷团簇.这些缺陷团簇捕获电子辐照引入的点缺陷,随着辐照剂量的增加而单调长大.分析这些缺陷团簇平均尺寸与辐照剂量的依赖关系发现:当辐照剂量高于1 dpa时,缺陷团簇的长大速率小于辐照剂量低于0.5 dpa时的速率,说明V-4Cr-4Ti合金中缺陷团簇的长大速率随着辐照剂量的增加而减小.167℃下,运用电子加速器对V-4Cr-4Ti合金进行了离位电子辐照实验,采用小冲杆实验法(SPT)对电子辐照前后V-4Cr-4Ti合金样品进行了力学性能测试.发现相比于未经电子辐照的钒合金样品,经过电子辐照的钒合金样品开始发生塑性形变的位移减少了0.04 mm,说明经过电子辐照后,合金发生了延性损失,塑性降低.随着电子辐照剂量的增加,钒合金样品的最大断裂载荷和断裂韧性均单调增加.
关键词:
钒合金
,
电子辐照
,
显微组织
,
力学性能
蔡莉莉
,
冯翠菊
,
陈贵锋
材料科学与工程学报
用能量为1.5MeV,剂量为1.8×1018 e/cm2的电子束辐照直拉硅单晶样品,通过傅里叶变换红外光谱技术(FTIS)研究了辐照后样品中VO2缺陷随退火温度的变化及其热稳定性.实验结果表明,辐照在样品中引入了VO2的亚稳态缺陷,其特征吸收峰在低温红外光谱中向高频方向移动,300℃热处理时该亚稳态缺陷转化为VO缺陷;400℃热处理样品中出现了VO2的稳态缺陷,450℃热处理该稳态缺陷的峰值强度达到最大,当退火温度达到550℃时,该稳态缺陷完全消失并转化为其它复杂的缺陷.这种稳态的VO2缺陷经历450℃长时间热处理表现出良好的热稳定性,而在500℃短时热处理后转化为其它缺陷.
关键词:
电子辐照
,
傅里叶变换红外光谱(FTIS)
,
亚稳态缺陷
,
VO2复合体
李丹明
,
贺德衍
,
秦伟
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2005.06.013
空间电子辐照是对航天器用热控材料性能产生影响的重要因素.研究了F46镀银二次表面镜在电子辐照作用下的光学性能和质量损失的变化规律,并应用扫描电镜和电子能谱对电子辐照前后试样表面形貌和元素组成变化进行了分析.研究表明,在相同能量的电子辐照下,随电子辐照通量的增加,该二次表面镜的表面铟和氧含量减少,碳含量和质量损失增加,其表面导电层被破坏,聚全氟乙丙烯的表面碳化,致使F46镀银二次表面镜光学性能下降.
关键词:
热控涂层
,
电子辐照
,
光学性能
,
地面模拟
付雪涛
,
马通达
,
王书明
,
张崇宏
,
张丽卿
,
王新强
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.03.022
利用能量为2 MeV的高能电子束对金属有机物化学气相沉积方法(MOCVD)生长的非故意掺杂氮化镓(GaN)异质结在室温下进行辐照,辐照剂量分别为1 × 1015/cm2和5×1015/cm2.经垂直于样品表面的电子辐照后,GaN外延层的(0004)和(1012)高分辨X射线衍射峰分别向高角和低角发生移动,表明电子辐照使GaN外延层发生了部分应变弛豫.利用电子背散射衍射(EBSD)对应变弛豫进行了表征.EBSD结果显示,剂量为5×1015/cm2的电子辐照相对于1×1015/cm2的电子辐照可诱导GaN外延层发生更为显著的应变弛豫.卢瑟福背散射/沟道(RBS/C)实验结果表明,5×1015/cm2的电子辐照对GaN外延层引入更为严重的辐照损伤.上述实验结果表明,GaN外延层的应变弛豫与2 MeV的电子辐照引入的缺陷如弗伦克尔对有关.运用弹性原子链模型(EACM)对电子辐照诱导GaN外延层应变弛豫机制进行了讨论.
关键词:
氮化镓异质结
,
应变弛豫
,
电子辐照
,
弹性原子链模型
刘瑞霞
,
赵晓娟
,
尚呈元
,
黄伟
宇航材料工艺
doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2012.02.016
研究了电子辐照对几种4,4’-二氨基二苯甲烷固化的环氧树脂造成的破坏效应.结果表明:在1.4 MeV电子辐照时,环氧树脂会变色、失重、开裂,同时力学性能下降.实验结果表明:双酚A二缩水甘油醚(DGEBA),N,N,N’,N’-四缩水甘油基-4,4’-二氨基二苯甲烷(TGDDM),对氨基苯酚三缩水甘油环氧树脂(TGPAP),DGEBA/TGDDM和DGEBA/TGPAP共混物均能承受106 Gy的吸收剂量.而DGEBA/TGPAP共混物,能承受107 Gy的吸收剂量.环氧树脂抗辐照性能的次序为DGEBA/TGPAP＞ DGEBA/TGDDM ＞TGPAP≈TGDDM＞DGEBA.环氧树脂经电子辐照后压缩模量增加,表明在辐照效应中交联机理占主导,DMA和DSC分析也证实了这一点.
关键词:
环氧树脂
,
电子辐照
,
破坏
,
压缩强度
,
交联
刘丽娟
,
祖小涛
,
沈保罗
,
卢铁城
,
林理彬
,
霍永忠
中国有色金属学报
用能量1.7MeV不同注量的电子辐照CuZnAl形状记忆合金样品, 辐照在母相进行. DSC实验结果表明, 辐照前后样品的相变温度As从339K升高到347K, Ms从330K升高到340K, As-Ms从4K升高到7K. XRD分析结果表明辐照导致两组成对晶面间距差(Δd)增大, 证明辐照促进了有序化. 相变温度的变化是由于电子辐照产生的点缺陷造成了马氏体相点阵畸变和有序度的变化, 从而产生马氏体稳定化.
关键词:
电子辐照
,
形状记忆合金
,
点缺陷
,
马氏体相变
,
马氏体稳定化
