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ZnO纳米阵列的制备和稀土掺杂工艺及其发光性能的研究

赵世华

材料导报

以制备氧化铝模板为前提,采用电场辅助沉积法制备了纳米针尖阵列、纳米管阵列和纳米线阵列.利用X射线衍射仪、扫描电镜、透射电镜、能谱仪、热重分析等检测手段对制备的样品进行了相应的分析和表征.采用近场光学扫描显微镜和荧光分光光度计研究了样品的发光性能,并分析了发光机理.本实验的研究步骤、内容及得到的结论如下:(1)通过二次阳极氧化法制备了高度有序的氧化铝模板.在草酸溶液中合成了半壁氧化铝纳米管阵列,其阵列在302nm处的发射峰是由1B→1A的电子跃迁引起的,属于F+型发光.最后制备了氧化铝微米树,其树干的形成沿不同方向生长,呈明显的X交叉型生长模式.(2)制备出ZnO纳米针尖阵列.通过X射线衍射分析和高分辨图,可以判断该ZnO为多晶结构,且在[101]方向上有择优生长的趋势.随着退火温度的升高和退火时间的延长,510nm处的绿光发射带减弱,而379nm附近的带边发射增强.(3)合成了ZnO:Tb3+纳米管阵列.通过对发射光谱图的分析,可以判断344nm处新的紫外发射带是由氧化铝模板本身发光而产生的.(4)合成了ZnO:Eu3+纳米线阵列.高分辨透射电镜图和傅里叶变换可以断定该ZnO:Eu3+纳米线是单晶结构,并且沿着[0001]方向择优生长.通过对荧光光谱图的分析,认为ZnO基质与掺杂Eu3+之间存在能量传递.而306nm处新的紫外发射峰是由氧化铝模板本身发光产生的.

关键词: 阳极氧化铝膜 , 电场辅助沉积 , 纳米阵列 , 光致发光 , 电子跃迁

光与物质作用的能量转换机理探究

王刚 , 陈则韶 , 张谦 , 胡芃 , 程晓舫

工程热物理学报

经典的光学理论都将光的波动性和粒子性区别来看。在利用光量子学说来解释光与物质作用时,也只强调光的粒子性,并且没有明确给出光与物质作用的力学机制,故而在光的波粒二象性的统一性方面存在着不足。本文提出了光子波驱动力模型假设,利用原子核-电子简谐振子力学模型对光与物质的作用机制进行了分析和修正,以三种半导体材料为例,较为合理地解释了物质对光的吸收,在一定程度上完善了对辐射光本质的描述。

关键词: 辐射 , , 太阳能 , 简谐振子 , 电子跃迁

高比表面积炭黑/聚丙烯导电复合材料

曹清华 , 孟庆荣 , 贾伟灿 , 丁宏亮 , 沈烈

复合材料学报

研究了高比表面积炭黑(Ketjen black,KB)填充聚丙烯复合材料(KB/PP)的导电性能及体积电阻率-温度特性。结果表明,当KB填充含量达到0.5%~1.5%(体积分数)时,KB/PP复合材料出现电渗流行为,表现出优异的室温导电性能。同时,KB/PP复合材料的体积电阻率-温度特性曲线呈现出特殊的负温度系数-正温度系数-负温度系数(NTC-PTC-NTC)三阶段特征,体积电阻率随温度的上升,先出现下降产生第一个NTC效应,然后出现PTC效应及第二个NTC效应。在相对低温范围内,第一个NTC效应具有良好的稳定性和重复性。KB表面的电子跃迁导电、基体体积膨胀两种效应的叠加是造成KB/PP复合材料出现三阶段特征的原因。

关键词: 高比表面积 , 聚丙烯 , 导电 , 负温度系数-正温度系数-负温度系数 , 电子跃迁

香蕉型液晶的电子结构计算和电激发特性

陈兰莉 , 汤中科

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.04.002

用舒克紧束缚法计算了一种新型香蕉型液晶1,3-phenylene bis [4-(4′-nonyloxy) phenyliminomethyl] benzoate 的电子结构,结果表明: LUMO和HOMO的能量差别主要是受到香蕉型液晶的中心核、桥键(-COO-)的影响,而烷基尾对香蕉型液晶电子结构的影响不大;在6种可能跃迁中,只有能量最低的两种(π→π*, n→π*)在200~800 nm可见光范围内是经常发生的.对于这种香蕉型液晶,电子激发主要发生在4.0 eV (310 nm)和 1.7 eV (730 nm)处.

关键词: 香蕉型液晶 , 电子结构 , 电子跃迁 , 光学吸收

反位紊乱Ni1-xCoxCr2O4尖晶石的光学特性与磁学特性

高玉 , 常虹 , 武强 , 王宏艳 , 庞艳波 , 刘芳 , 朱宏静 , 云月厚

中国有色金属学报(英文版) doi:10.1016/S1003-6326(17)60099-2

通过对化合物Ni1-xCoxCr2O4的紫外吸收光谱,红外吸收光谱和拉曼光谱分析,说明Co离子中绝大多数占据了四面体(A)位置,少部分占据了八面体(B)位置.Co离子占位紊乱是由于八面体中Co离子的半径(r=0.65?)接近于八面体中Cr离子的半径(r=0.62?)引起的.随着Co含量的增加,在510 cm?1附近出现的红外吸收峰向高频方向移动,这是由于Co离子替代四面体中Ni离子使八面体中阳离子与氧之间的距离减小,导致键能增强引起的.磁性测量展示了x=0.2和0.8的居里温度(TC)分别为75 K和90 K.

关键词: 尖晶石 , 反位缺陷 , 电子跃迁 , 光学性能 , 磁学性能

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