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离子辐照单晶Si损伤效应的研究

刘昌龙 , 朱智勇 , 侯明东 , 金运范 , 王志光

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2000.03.004

回顾了低能离子注入单晶Si经由核弹性碰撞引起的损伤特征及其常规的研究方法,介绍了快重离子辐照单晶Si经由电子能损引起的损伤特点及研究现状,并对该领域的研究作了展望.

关键词: 离子辐照 , 单晶Si , 损伤效应 , 电子能损

用离子辐照模拟研究反应堆结构材料中金属/金属界面原子扩散行为

魏孔芳 , 王志光

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2006.02.030

介绍了利用载能离子辐照模拟研究反应堆结构材料中金属/金属界面原子扩散行为的实验进展, 特别是辐照参数(如辐照剂量、辐照温度、核能损、电子能损以及膜结构等)对界面原子扩散行为的影响, 并对可能的机理进行了简要的评述.

关键词: 辐照剂量 , 辐照温度 , 电子能损 , 核能损 , 金属/金属界面 , 原子扩散

快重离子辐照金红石型TiO_2的肿胀效应及化学蚀刻行为研究

罗捷 , 孙友梅 , 侯明东 , 段敬来 , 常海龙 , 刘杰

原子核物理评论

二氧化钛（Titatium Dioxide,简称TiO2）晶体在中能重离子辐照时表面会出现肿胀效应,肿胀高度与入射离子的电子能损和辐照注量有关。辐照后的TiO2在一定条件下能够被氢氟酸溶液化学蚀刻,化学蚀刻的电子能损阈值为8.2 keV/nm,未辐照TiO2呈现几乎零蚀刻率。要达到饱和蚀刻深度,辐照离子的注量必须大于或等于1×1013ions/cm2。采用离子辐照的潜径迹理论分析研究了辐照损伤及对化学蚀刻的影响,快重离子辐照结合化学蚀刻是制备TiO2微结构的有效方法。

关键词: TiO2 , 辐照肿胀 , 化学蚀刻 , 电子能损

O2+离子穿过碳膜引起的前后表面电子发射

虞洋 , 赵永涛 , 王瑜玉 , 王兴 , 程锐 , 周贤明 , 李永峰 , 刘世东 , 雷瑜 , 孙渊博

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.31.01.092

测量了入射能为1.9～11.3 keV/u的O2+离子穿过碳膜诱导的前向、后向(分别对应出射表面和入射表面)电子发射产额。实验中，通过改变入射离子的能量和流强，系统地研究了电子能损和离子束流强度对前向、后向电子发射产额的影响。结果表明，在本实验的能量范围内，前向、后向电子发射产额与对应表面的电子能损有近似的正比关系，而与束流强度无关。分析还发现引起后向电子发射的动能阈值约为0.2 keV/u，势能电子发射产额约为1 e-/ion。

关键词: 电子发射 , 电子能损 , 离子束流强度

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