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K2AgF4和Cs2AgF4的电子结构和磁性

王广涛 , 王东洋 , 张琳 , 易霞

低温物理学报

采用第一性原理计算我们研究了Jahn-Teller(JT)畸变诱导下K2AgF4和Cs2AgF4中的轨道有序和磁性.K2AgF4的基态是层内反铁磁态(AFM2),此时最近邻的Ag2+磁矩互为反平行,而它们的轨道则是相互平行的.Cs2AgF4的基态是层间反铁磁态(AFM1),同一AgF2层中的Ag2+磁矩相互平行,与近邻的AgF2层中Ag2+磁矩互为反平行.这两种体系磁性基态都可以用Goodenough-Kanamori规则进行很好的解释.

关键词: 电子束退火 , MgB2 , 超导薄膜

电子束快退火法制备MgB2薄膜及性质研究

戴倩 , 孔祥东 , 冯庆荣 , 韩立 , 张怀 , 杨倩倩 , 聂瑞娟 , 王福仁

低温物理学报

利用电子束快退火法制备了MgB2超导薄膜.该方法利用高能电子束,在中真空条件下照射Mg-B多层前驱膜,照射时间维持在1s以下.在电子束的作用下,前驱膜中的Mg和B迅速反应,形成MgB2相.整个退火过程没有Mg蒸气与氩气保护,极短的退火时间有效地限制了前驱膜中Mg的流失和Mg与其它物质的反应.与传统制备工艺相比,该方法避免了混合物理化学气相沉积法中乙硼烷的使用;省去异位退火法中提供高Mg蒸气压的限制,避免在有Mg块存在情况下退火后样品表面存在Mg污染的问题.利用该方法在SiC(001)衬底上生长了100nm厚的MgB2薄膜,其超导转变温度Tc~35K,均方根粗糙度为3.6nm,临界电流密度Jc(5K,0 T) =3.8×106 A/cm2.该方法对MgB2薄膜的大规模工业生产提供了一个新思路.

关键词: 电子束退火 , MgB2 , 超导薄膜

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