彭开武
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2013.12.03
简要回顾了聚焦离子束/扫描电子显微镜双束系统在国家纳米科学中心的应用。围绕透射电镜样品制备、扫描电子显微镜与扫描离子显微镜、纳米材料的二维与三维表征等材料表征，以及离子束直接刻蚀加工如光子晶体阵列器件原型加工、材料沉积加工如用于电学性能测试的四电极制作、指定点加工如原子力显微镜针尖修饰、三维加工、电子束曝光及其与聚焦离子束联合加工等纳米结构加工两方面，以一些具体实例分类进行了介绍。针对限制其应用的一些不利因素，如加工效率低、面积小、精度不足、加工损伤等问题，一些新技术如新型离子源Plasma、 He ＋/Ne ＋离子等与现有 Ga ＋聚焦离子束系统配合将成为未来发展方向。
关键词:
聚焦离子束
,
双束系统
,
纳米材料表征
,
纳米结构加工
,
电子束曝光
,
透射电镜样品制备
花涛
,
许伟伟
,
熊焰明
,
王青云
,
余辉龙
,
梁瑞宇
,
沈卫康
低温物理学报
传统的紫外线曝光难以制备微桥宽度不超过1微米的双晶约瑟夫森结.我们利用电子束曝光技术制备了纳米级别(几百纳米)桥宽YBa2Cu3O7-a双晶结,具有优良的电流-电压特性和微波响应特性.并分析60 K温度下100纳米膜厚的双晶结微桥宽度的变化对结正常态电阻RN、超导临界电流Ic、特征电压IcRN的影响规律.通过考虑结与外部微波电路的阻抗匹配、结检测太赫兹波灵敏度、超导电流大小对高次微波响应台阶影响以及结的特征电压四个因素,得到最佳的太赫兹波检测器中双晶结的微桥宽度为1微米左右.
关键词:
纳米级桥宽约瑟夫森双晶结
,
电子束曝光
,
太赫兹
,
晶界微桥宽度
