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Si(111)衬底上生长的立方Mg_xZn_1-x晶体薄膜

邱东江 , 吴惠桢 , 陈奶波 , 田维坚

无机材料学报

在国际上第一次采用电子束反应蒸发法在Si(111)衬底上生长了Mg_xZn_1-xO晶体薄膜.能量色散X射线(EDX)特征能谱及X射线衍射(XRD)分析表明薄膜呈立方结构,薄膜的晶面取向依赖于生长温度,在200℃温度下生长得到高度(200)取向的立方Mg_xZn_1-xO薄膜,温度过高时得到多晶薄膜.对高度(200)取向的立方Mg_xZn_1-xO薄膜的光荧光激发谱(PLE)分析表明其光学带隙为4.20eV,相对于MgO的带隙红移量为3.50eV.XRD分析还表明立方Mg_xZn_1-xO薄膜与MgO衬底之间的晶格失配仅为0.16％.这使得高质量立方Mg_xZn_1-xO/MgO多量子阱材料的制备成为可能.

关键词: 电子束反应蒸镀 , cubic Mg_XZn_1-xO film

低温生长的ZnO单晶薄膜的结构和性能

邱东江 , 吴惠桢 , 杨爱龄 , 徐晓玲

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.05.007

采用电子束反应蒸镀方法在玻璃衬底上在低温下外延生长了沿c-轴高度取向的单晶ZnO薄膜.研究了衬底温度及反应气氛中的O2对薄膜结构的影响,结合荧光光谱(PL)和荧光激发光谱(PLE)研究了玻璃上ZnO薄膜的光学跃迁特性.在325℃下获得的单晶薄膜(002)晶面的X射线衍射峰强度最大且线宽最窄(0.28°).反应气氛中的O2对ZnO薄膜结构的影响不明显,但对薄膜的PL及PLE特性的影响显著.

关键词: 电子束反应蒸镀 , 晶ZnO薄膜 , 玻璃衬底 , 结构及光学特性

Si(111)衬底上生长的立方MgxZn1-xO晶体薄膜

邱东江 , 吴惠桢 , 陈奶波 , 田维坚

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.06.041

在国际上第一次采用电子束反应蒸发法在Si(111)衬底上生长了MgxZn1-xO晶体薄膜.能量色散X射线(EDX)特征能谱及X射线衍射(XRD)分析表明薄膜呈立方结构,薄膜的晶面取向依赖于生长温度,在200C温度下生长得到高度(200)取向的立方MgxZn1-xO薄膜,温度过高时得到多晶薄膜.对高度(200)取向的立方MgxZn1-xO薄膜的光荧光激发谱(PLE)分析表明其光学带隙为4.20eV,相对于MgO的带隙红移量为3.50eV.XRD分析还表明立方MgxZn1-xO薄膜与MgO衬底之间的晶格失配仅为0.16%.这使得高质量立方MgxZn1-xO/MgO多量子阱材料的制备成为可能.

关键词: 电子束反应蒸镀 , 立方MgxZn1-xO薄膜

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