邹宇琦
,
李新军
,
徐军
,
干福熹
,
田玉莲
,
黄万霞
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.01.004
运用同步辐射白光X射线形貌术分析了YVO4的结构和缺陷行为,也观测了YVO4晶体(001)、(100)面的缺陷.发现在(001)面出现应力生长区、沿[100]方向的位错线以及晶体中镶嵌结构.运用白光形貌术拍摄到的劳埃斑,证明晶体为四方晶系.确定了小角晶界是引起多晶的主要原因.采用电子探针仪分析了散射颗粒形成是由杂质铁和铝的引入造成.
关键词:
YVO4晶体
,
缺陷
,
同步辐射白光X射线形貌术
,
电子探针仪
