材料期刊网，材料期刊，材料类期刊，材料期刊投稿

微波ECR等离子体源增强非平衡磁控溅射DLC膜的制备与表征

介绍了微波ECR等离子体源增强非平衡磁控溅射设备的结构和工作原理,详细叙述了利用该设备制备类金刚石膜的过程.Raman光谱证实了薄膜的类金刚石特性;采用原子力显微镜(AFM)观察薄膜的微观表面形貌,均方根粗糙度大约为1.9nm,结果表明薄膜表面非常光滑;利用CERT微摩擦计进行摩擦、磨损和划痕实验,薄膜的平均摩擦系数较小,大约为0.175;DL(膜和Si衬底磨损情况的扫描电镜图片相对比,可以看到DLC膜的磨痕小的多,说明薄膜有较好的耐磨性能;划痕测试结果表明制备薄膜临界载荷大约为40mN.

关键词: 非平衡磁控溅射 , 电子回旋共振 , 等离子体源 , 类金刚石膜

用ECRCVD方法制备优质氮化硅钝化膜

吴振宇 , 汪家友 , 杨银堂

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.001

利用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,以SiH4和N2为反应气体进行了氮化硅钝化薄膜的低温沉积技术的研究.采用原子力显微镜、傅立叶变换红外光谱和椭圆偏振光检测等技术对薄膜的表面形貌、结构、厚度和折射率等性质进行了测量.结果表明,采用ECR-CVD技术能够在较低的衬底温度条件下以较高的沉积速率制备厚度均匀的氮化硅薄膜,薄膜中H含量很低.薄膜沉积速率随微波功率和混合气体中硅烷比例的增加而增大.折射率随微波功率的增大而减小,随混合气体中硅烷比例的增大而增大.在相同气体混合比和微波功率条件下,较高衬底温度条件下制备的薄膜折射率较大.

关键词: 电子回旋共振 , 化学汽相淀积 , 氮化硅 , 钝化薄膜

电子回旋共振等离子体辅助溅射沉积锂磷氧氮薄膜

李驰麟 , 傅正文 , 舒兴胜 , 任兆杏

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.01.032

用电子回旋共振(ECR)等离子体辅助射频溅射沉积法制备快锂离子传导的锂磷氧氮(LiPON)薄膜.X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、紫外可见吸收光谱等手段表征了在不同ECR功率辅助下沉积的薄膜.结果显示,ECR等离子体对磁控溅射沉积薄膜的生长有明显的影响,能够提高N的插入量,改变薄膜的组成与结构.但是过高的ECR功率反而易破坏薄膜的结构,不利于N的插入.最佳的实验条件是在ECR 200W辅助下沉积的LiPON薄膜,它的电导率约为8×10-6S/cm.讨论了ECR对沉积LiPON薄膜的N插入机理.

关键词: 锂磷氧氮薄膜 , 溅射沉积 , 电子回旋共振 , 锂离子传导率

高电荷态ECR离子源

张子民 , 刘占稳 , 赵红卫

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2000.01.013

介绍了目前ECR离子源的发展状况和国际上几台典型的ECR离子源．

关键词: 电子回旋共振 , 等离子体 , 高电荷态 , 束流强度

氩气对多晶硅刻蚀的影响

陈永生 , 汪建华

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2003.02.006

报道了用CF4和氩气Ar作为工作气体的ECR反应离子刻蚀多晶硅(poly-Si)技术.研究了Ar气含量的变化对刻蚀速率和各向异性的影响,并对实验结果进行了分析.实验中气压为0.5Pa,混合气体中流量保持50sccm(1cm3/min standard cubic centimeter/minute),Ar气含量在0～50%范围内变化,对应的刻蚀速率在46～10sccm范围内.

关键词: 电子回旋共振 , 多晶硅 , 刻蚀