张久兴
,
周美玲
,
周文元
,
王金淑
,
聂祚仁
,
左铁镛
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2002.02.010
稀土氧化物(La2O3、Y2O3) 在强化钼的同时,对钼具有显著的韧化作用,即具有综合强韧化作用.稀土钼材作为高温结构材料正逐步取代 Al-Si-K 掺杂钼(ASK)和TZM钼合金;通过成分设计和加工工艺优化,稀土钼还是一种工作温度低、无放射性污染的新型阴极材料,由稀土钼作为阴极的电子管,发射性能与寿命均达到或超过同类型 W-ThO2 阴极电子管,达到实用化水平.因此,稀土钼作为一种集结构与功能于一身的新型材料,有广泛的应用前景.
关键词:
稀土钼
,
强韧化
,
阴极
,
电子发射
孟国栋
,
西小广
,
成永红
,
吴锴
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2012.03.016
选取高压真空绝缘体系中常用的环氧树脂为研究对象,通过添加不同粒径的纳米无机填料,分析不同填料对沿面闪络过程的影响.利用闪络过程光谱实时测量系统分别研究红外光、可见光及紫外光范围内的闪络发光光谱的时域波形,从发光光谱的角度分析闪络过程的发生和发展机理.结果表明:闪络光谱强度并不随闪络电压的升高而增强,纳米无机氧化物的添加会引入更多的深陷阱能级,且会增加高能光子的发射.
关键词:
真空沿面闪络
,
环氧树脂
,
光谱分析
,
深浅陷阱
,
电子发射
陈文革
,
邢力谦
,
李金山
稀有金属材料与工程
在真空电炉中利用机械合金化和热压烧结法制备出纳米晶块体钨铜合金.在进行电击穿实验时,电弧在其表面出现了分散现象,明显不同于相应传统材料电弧集中在局部的现象.这是由于纳米材料在电击穿时由于较低的逸出功、大量晶界的存在和纳米尺度的粒子能窄化钨铜界面的势垒而诱发大量电子发射所致.
关键词:
电击穿
,
钨铜合金
,
纳米材料
,
电子发射
郑雪萍
,
刘丽丽
,
张怀龙
,
李文静
,
王新刚
,
王茂林
,
丁秉钧
稀有金属材料与工程
采用高能球磨及热压烧结工艺制备了Mo-4％(质量分数,下同)La2O3纳米复合的阴极材料,其中La2O3的颗粒尺寸小于100nm;作为比较,商业W-4％ ThO2阴极材料中的ThO2颗粒尺寸为1～2 μm.Mo-La2O3纳米阴极材料的平均真空起始电场强度为2.97×107 V/m,比商业W-ThO2阴极材料低62.7％.纳米复合的Mo-La2O3阴极材料具有优异的电子发射性能,其电子发射点的分布面积和密度明显大于商业W-ThO2阴极材料.氧化物的颗粒尺寸对于阴极材料的电子发射性能以及真空电弧特性有显著的影响.随着La2O3颗粒尺寸的减小,Mo-La2O3阴极材料的电子发射性能提高.当La2O3的颗粒尺寸减小到小于100 nm时,Mo-La2O3阴极材料的电子发射面积和能力显著增加.纳米复合Mo-La2O3阴极材料电子发射性能的增强归因于在相界面上形成了高的内电场和空间电荷区.
关键词:
纳米复合
,
阴极
,
电子发射
,
真空电弧
蒋军
,
江炳尧
,
任琮欣
,
张福民
,
冯涛
,
王曦
,
柳襄怀
,
邹世昌
稀有金属材料与工程
利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面上沉积Pt膜,采用试验二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba,BaO蒸发到镀铂栅极和纯钼栅极表面上后的电子发射性能.采用XRD,EDX,XPS等测试手段对其栅极表面进行对比分析和表征.实验结果表明:镀铂栅极具有明显的抑制电子发射性能,并初步探讨了离子束辅助沉积Pt膜抑制栅电子发射的机理.
关键词:
电子发射
,
离子束辅助沉积
,
钼栅极
,
铂膜
席晓丽
,
聂祚仁
,
杨建参
,
郭艳群
,
左铁镛
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.02.001
分析了电子发射材料制备中通用的掺杂工艺, 研究了新的掺杂工艺, 并对几种不同掺杂工艺:固-固、液-固、液-液进行了对比研究.在自行设计的发射测量设备上, 研究了液-液掺杂材料的电子发射性能, 着重阐述了掺杂方式对材料发射性能和结构的影响;并通过XRD, SME等检测方法, 研究了掺杂方式对稀土在电子发射材料中分布均匀性的影响, 揭示了液-液掺杂在混合机制上的特殊性, 证明了液-液掺杂的高效性、均匀性及优越性.
关键词:
电子发射
,
稀土
,
均匀性
张晖
,
丁秉钧
稀有金属材料与工程
制备出了纳米复合W-ThO2电极材料,这种材料的成分与相组成与传统电极材料相同,但显微组织显著不同.采用真空电弧放电,观察了阴极斑点的分布特征,测定了电极材料的起弧电场强度.通过与传统电极对比,认为大幅度细化氧化物添加剂至纳米尺度,能够显著提高电极材料的电子发射能力,降低逸出功.
关键词:
电极材料
,
电子发射
,
纳米
虞洋
,
赵永涛
,
王瑜玉
,
王兴
,
程锐
,
周贤明
,
李永峰
,
刘世东
,
雷瑜
,
孙渊博
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.31.01.092
测量了入射能为1.9～11.3 keV/u的O2+离子穿过碳膜诱导的前向、后向(分别对应出射表面和入射表面)电子发射产额。实验中，通过改变入射离子的能量和流强，系统地研究了电子能损和离子束流强度对前向、后向电子发射产额的影响。结果表明，在本实验的能量范围内，前向、后向电子发射产额与对应表面的电子能损有近似的正比关系，而与束流强度无关。分析还发现引起后向电子发射的动能阈值约为0.2 keV/u，势能电子发射产额约为1 e-/ion。
关键词:
电子发射
,
电子能损
,
离子束流强度
