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电场电炉合成碳化硅晶须的研究

戴长虹 , 赵茹 , 水丽

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.03.030

给出了一种低成本合成高纯碳化硅晶须的新方法.采用电场催化技术,在较低的温度(1200～1400℃)下合成了直径为100～200nm、长度为5～50μm的碳化硅晶须.研究结果表明,以炭黑和SiO2微粉为原料在电场电炉中能够合成出高纯度、高含量的碳化硅晶须.

关键词: 碳化硅 , 晶须 , 电场电炉