王光伟
,
张建民
,
倪晓昌
,
李莉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.03.007
分析了金属Ni、Al诱导非晶Si及非晶SiGe薄膜结晶的条件、特点和机理.简要介绍了金属诱导结晶相对于其它一些结晶工艺的优势及其在薄膜晶体管中的应用.概述了影响诱导结晶速率和薄膜微结构的诸多因素,如热处理条件和外加电场等.对电场增强金属诱导横向结晶的相关问题进行了探讨,指出适当强度的电场可显著加快横向诱导结晶的速率,但更强电场则会降低该速率,基于电迁移效应对该现象进行了解释.
关键词:
金属诱导结晶
,
金属诱导横向结晶
,
固相反应
,
扩散
,
电场增强横向诱导结晶
,
成核激活能
,
晶粒生长
王光伟
,
姚素英
,
王雅欣
,
刘颖
材料导报
分析了外加直流电场对Al和Ni诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶速率的影响,指出,在热处理条件下,Al和Ni能加快诱导a-Si薄膜横向结晶的速率;适当强度的外加电场能明显加快金属诱导a-Si横向结晶速率;Al和Ni诱导a-Si结晶速率的增大主要是电场提高了扩散物的迁移率.但场强超过某临界值后该速率降低.基于电迁移效应,对此结果作了较合理的解释.结合文献,提出一经验公式,并用MATLAB模拟了外电场中Al和Ni诱导a-Si薄膜横向结晶速率曲线.
关键词:
电场增强横向诱导结晶
,
扩散
,
电迁移
,
晶粒长大
