李霞
,
马希骋
,
李士同
,
温树林
材料导报
综述了碳纳米管的结构、制备、生长机理及应用的最新研究进展,着重介绍了以碳纳米管为模板,对其进行填充、掺杂或包覆制备其他新型一维纳米材料这一国际前沿课题的研究进展,指出碳纳米管研究的机遇与挑战.
关键词:
碳纳米管
,
结构
,
制备
,
生长机理
,
掺杂
,
填充
,
包覆
罗宁
,
刘智远
,
陈天梧
,
叶林茂
,
刘凯欣
,
李晓杰
稀有金属材料与工程
主要采用硝酸铜、柠檬酸、油酸和RDX成功制作了含有铜离子的溶胶凝胶前驱体炸药,并在密闭容器中氩气保护下炸药爆轰合成了球形、颗粒尺寸均匀、核壳结构的石墨包覆铜纳米颗粒(Cu-Gs).采用XRD、TEM、Raman等表征了爆轰产物的结构组成、形貌特征及包覆层构成.通过优化设计调整前驱体炸药的元素摩尔组成、密度及氧平衡,从而来寻求控制合成Cu-Gs的途径.最后简要讨论了Cu-Gs的生长机理.
关键词:
石墨包覆铜纳米颗粒
,
溶胶凝胶溶液
,
炸药爆轰
,
生长机理
靳福江
,
李珍
,
李飞
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.05.009
采用水热法在玻璃基底上成功制备出了ZnO纳米棒.用x射线衍射仪(xRD)和扫描电子显微镜(SEM)对ZnO纳米棒的晶体结构和表面形貌进行了表征,初步探讨了ZnO纳米棒的生长机理;同时对ZnO纳米棒的光致发光性能进行测量,分析了水热温度和反应时间对ZnO纳米棒光致发光性能的影响.结果表明:ZnO纳米棒呈现六方纤锌矿结构,具有沿(002)晶面择优生长特征;随着水热反应温度的升高,ZnO纳米棒的发光强度逐渐增强;随着反应时间的延长,ZnO纳米棒发光强度在1～3 h内增强,而在3～10 h反而减弱.
关键词:
ZnO纳米棒
,
水热法
,
生长机理
,
发光性能
江国健
,
庄汉锐
,
王本民
,
张炯
,
阮美玲
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.016
在对自蔓延高温合成方法制得的AIN晶须形态研究的基础上,采用高分辩电镜等技术,对AIN晶须进行了生长机理研究,结果表明,晶须头部的小液滴显示氮化铝晶须可由VLS机制生成.光滑晶须头部的出现、过饱和度与晶须直径的关系、侧面的二次生长、生长台阶的出现,这些都说明VS机制在起作用.虽然在AIN晶须中发现层错和位错,但经过分析认为,它们都不是氮化铝晶须的生长机制.
关键词:
自蔓延高温合成
,
氮化铝
,
晶须
,
生长机理
王芬
,
杨长安
,
周长江
,
王子婧
,
朱建锋
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.14.017
以 Ce (NO3)3·6 H2 O 为起始原料、Na5P3O10和 Na3PO4·12H2O 分别为矿化剂,采用水热法制备了 CeO2纳米八面体和纳米棒,并且对Na5P3O10和Na3PO4·12H2O 不同体系中 pH 值的影响作了分析研究。通过 XRD、FESEM、TEM 等方法对CeO2纳米棒和纳米八面体样品分析结果表明,在Na5P3O10和 Na3PO4·12H2O 系统中,初始时 CeO2八面体与纳米棒共存,但随着水热时间的延长,在Na5 P3 O10体系中以 CeO2八面体成为主要产物,而在Na3PO4·12H2O 体系中以CeO2纳米棒为主要产物；在pH 值约为2的条件下,两系统中均只有纳米棒生成。研究得出,Na5 P3 O10水解产生的 HPO2－4是 CeO2纳米八面体形成的主要原因,而 Na3PO4·12H2O 水解产生的 H2 PO－4是纳米棒形成的主要原因。
关键词:
CeO2
,
纳米八面体与纳米棒
,
制备
,
生长机理
刘衍聪
,
岳吉祥
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.037
本文在分析国内外钻探用聚晶金刚石应用及性能基础上,研制开发耐高温界面生长型聚晶金刚石,采用0.05钴片或钴铁片(5%铁)扩散工艺,对工艺组装制备及合成工艺条件进行详细分析论证,建立一种界面生长型聚晶金刚石合成工艺,由于采用强酸处理方法去除残余金属钴存在处理不彻底及对性能影响大缺陷,通过分析国内外聚晶热稳定性基础上,得出生长型聚晶晶间结构即Co存在状态是提高热稳定性关键,通过降低进入聚晶金属Co含量和改变晶间物相及组成,即主要是改变金属Co存在状态,加入适量金属Ti、W,在扩散生长同时生成新的固溶体-硬质合金,即TiC-Co、 WC-TiC-Co固溶体,从而改变聚晶显微组织中残留Co存在状态,并对样品进行电镜扫描、电子探针分析、转靶X射线衍射分析等分析,研究证明其结构基本是D-D键结合的高晶体,晶粒金刚石之间是D-D键错综连接形成多孔网状结构,产品具有高自锐性和热稳定性,热稳定达到1473K.最后对生长机理进行初步分析,并提出界面生长机理.
关键词:
聚晶金刚石
,
工艺研究
,
生长机理
,
热稳定性
张颖
,
蒋明学
,
张军战
人工晶体学报
以SiO2微粉为硅源,炭黑为碳源,氧化硼为催化剂,采用碳热还原法分别在1500 ℃、1550 ℃、1600 ℃制备了SiC晶须.通过扫描电镜,电子探针和透射电镜等分析手段,研究了合成温度对SiC晶须形貌的影响,探讨了晶须的生长机理.结果表明:当合成温度为1500 ℃时,所合成的SiC晶须形貌呈竹节状,选区电子衍射分析发现孪晶等面缺陷在晶须的生长方向上周期性出现;当合成温度在1550 ℃以上时,哑铃状晶须的数量会急剧增多,分析表明晶须表面包裹的串珠小球为β-SiC.在晶须的顶端发现催化剂熔球,由此推测生长机理为VLS机理,但当合成温度超过1550 ℃时,SiC会以VS生长机理沿径向沉积生成哑铃状晶须.
关键词:
碳热还原
,
SiC晶须
,
合成温度
,
生长机理
赵勇
,
俞进
,
盛广沪
,
高跃飞
,
方利广
,
梁晓军
硅酸盐通报
采用热化学气相沉积法(thermal chemical vapor deposition,TCVD)在经过高温氨气处理后的硅基铁纳米薄膜表面实现片状碳纳米带的催化生长.通过场发射扫描电子显微镜(field emission scanning electron microscopy,FESEM)的观察可知,生成的碳材料是一种准二维材料,表面具有垂直于其长度方向的纹理,厚(z方向)约几十纳米,宽(Y方向)几百纳米,类似于一种"搓板"状的结构.而其宽度沿着其长度方向则有较大的变化,时宽时窄,没有固定的规律.这种带状碳纳米纤维材料的边缘光滑,比中间略宽,类似于一种镶边结构.通过高分辨透射电子显微镜(high resolution transmission electron microscopy,HRTEM)的观察可知,碳纳米带的碳层沿着垂直于碳纳米带长度的(002)方向有统一的排列,其边缘都弯曲折叠成封闭结构.有序排列的碳层被层错和断点分割成许多微区.在对催化剂研究的基础上,本文认为片状碳纳米带的生长是通过碳原子在片层状催化剂颗粒中的扩散、析出来实现的.碳层从催化剂片层侧面中一层一层地析出,形成带状外观.
关键词:
碳纳米带
,
催化剂
,
化学气相沉积
,
生长机理
闭晓帆
,
陈拥军
,
李娟
,
苏俏俏
材料科学与工程学报
建立了一种不同催化剂含量下以无定形硼粉、活性碳粉、九水硝酸铁(催化剂)和尿素为原料的共沉淀-退火两步反应制备BN纳米管的方法.研究发现:催化剂含量的变化会影响BN纳米管的形貌和产量.当催化剂含量较低(摩尔比Fe(NO3)3/B=0.05)时,只有少量的竹节状纳米管生成,无颗粒存在,纳米管的平均直径约100nm.随着催化剂含量的升高(摩尔比Fe(NO3)3/B=0.1),纳米管的产量也升高,但有少量的颗粒形成,纳米管的平均直径仍然为约100nm.而当催化剂含量变得更高(摩尔比Fe(NO3)3/B=0.2)时,纳米管表面沉积着一层纳米片,管径升至250nm以上,同时颗粒也增多.分析表明纳米管的生长机理为气-液-固(VLS)生长机制.
关键词:
氮化硼纳米管
,
制备
,
九水硝酸铁
,
生长机理
金莹
,
郎静
,
陈禧
,
朱聪旭
,
马南钢
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2011.12.016
以纯Mg粉,SiO2粉为原料,采用反应自组织生长的方法制备了以MgO,Mg2 Si为增强相的镁基复合材料.通过对试样的差热分析发现,Mg与SiO2在510～600℃之间发生原位化学反应,生成MgO与Si,被还原的Si继而与过量的Mg反应生成Mg2Si.采用扫描电镜和能谱分析对烧结后试样的微观形态进行分析,结果表明,经超声波辅助电搅拌混料获得的试样,反应所生成的MgO在Mg2 Si表面形成了一层致密的团聚体壳层,其与基体之间结合紧密.力学性能测试结果表明,超声波辅助电搅拌混料所获得的试样维氏硬度比电搅拌混料所获得的试样的维氏硬度提高近40％.对体系中自组织反应的反应机理进行了讨论.
关键词:
镁基复合材料
,
反应自组织合成
,
超声波辅助电搅拌
,
生长机理
,
反应模型
