余晓艳
,
马鸿文
,
杨静
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.01.020
Cu-Ⅲ-Ⅵ2族系列的黄铜矿型半导体化合物可用于光电装置,CuInSe2是Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族的一个成员,其带隙能为1eV,光吸收系数较大,有希望成为潜在的太阳能材料.本文阐述了CuInSe2晶体的光电性能及在作为太阳能材料方面的应用,对合成CuInSe2单晶的各种生长方法进行了归纳和总结,并指出了研究中存在的问题和今后努力的方向.
关键词:
CuInSe2
,
光电材料
,
晶体生长
,
生长方法
,
化合物半导体
刘炳峰
,
向卫东
,
刘海涛
,
张志敏
,
梁晓娟
,
陈兆平
,
赵斌宇
,
钟家松
硅酸盐通报
通过Ce,Re∶YAG单晶替代荧光粉与蓝光芯片产生白光是近几年发展起来的新方法.本文对Ce,Re∶YAG单晶的主要制备方法进行了说明.综述了目前国内外用于白光LED的Ce∶YAG系列单晶的研究进展,并对其研究成果进行了分析,给出了部分具有代表性的荧光光谱图.最后对晶片式白光LED的发展前景进行了展望.
关键词:
白光LED
,
Ce,Re∶YAG单晶
,
生长方法
马勇
,
王万录
,
廖克俊
材料导报
ZnO薄膜是一种具有广泛用途的材料,近来成为了研究的热点.高度c轴择优取向是优质ZnO薄膜的重要特点.在已开发的众多生长技术中,磁控溅射、金属有机物气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、电子束反应蒸镀法是生长出高度c轴择优取向优质薄膜的主要方法.介绍了这些方法及其研究进展,同时介绍了目前ZnO薄膜主要研究方面.
关键词:
ZnO薄膜
,
c轴取向
,
生长方法
