胡小波
,
王继扬
,
魏景谦
,
崔伟红
,
刘宏
,
刘耀岗
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.03.002
采用熔盐法生长了大尺寸RbTiOAsO4晶体.利用同步辐射形貌术和化学腐蚀法,研究了RbTiOAsO4晶体中的生长缺陷.发现该晶体中的生长缺陷主要为生长位错和生长扇界,大部分位错沿[100]方向,Burgers矢量为[001].在扫描电镜下,对原生RbTiOAsO4晶体的表面形态进行了观察,根据其表面二次电子像的特征,对不同晶面的生长控制机制进行了讨论.
关键词:
RbTiOAsO4晶体
,
位错
,
生长扇界
,
生长机制
,
同步辐射形貌术
,
非线性光学晶体
