程振祥
,
于锡玲
,
张树君
,
孙大亮
,
钟真武
,
袁多荣
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.04.003
利用倒置相差显微镜观察了用于蓝紫光倍频的硫氰酸汞镉晶体(CdHg(SCN)4)在3%的KCl溶液中的生长形貌:在(100)面上呈现为生长直线台阶列,在锥面上呈现生长丘.在溶液循环流动的情况下测量了晶体的生长速率,发现晶体在过饱和度低于2.5%时不生长.计算了晶体不同面的界面相变熵因子.通过三者综合分析得到晶体为多二维成核生长机制.
关键词:
生长动力学
,
CMTC晶体
,
生长丘
,
表面形貌
喻江涛
,
李明伟
,
曹亚超
,
王晓丁
,
程旻
功能材料
ADP晶体{100}面族生长的实时与非实时AFM(atomic force microscopy,AFM)研究表明,过饱和度σ处于0.005～0.04,生长温度介于293～313K之间时,晶面上观察到位错生长丘和其它晶体缺陷所形成的生长丘,晶面主要为台阶推进方式生长;位错生长丘上空洞的出现与位错弹性理论相符;随过饱和度σ降低,台阶形貌会发生相应变化;生长温度为298K时,台阶棱边能不小于6.2×10-7J/cm2.
关键词:
ADP晶体
,
生长丘
,
台阶
,
台阶棱边能
,
AFM
