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不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究

钱聪 , 张恩霞 , 贺威 , 张正选 , 张峰 , 林成鲁 , 王英民 , 王小荷 , 赵桂茹 , 恩云飞 , 罗宏伟 , 师谦

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.04.012

研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应.实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作.研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置.通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α.

关键词: 绝缘体上硅(SOI) , 总剂量辐照效应 , 环栅结构 , H型栅结构

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