崔鹏
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苑世领
,
徐桂英
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00512
以玉米植株为原料制备了纳米结构SiO2. 通过常温混酸浸泡等手段在玉米植株中观察到了微米级植硅石,并以植硅石为原料,通过煅烧、硝酸煮沸等方法制备了纳米级SiO2;运用X射线粉末衍射(XRD)、光学显微镜、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、电子能谱(EDS)、红外光谱(IR)等手段对样品进行了表征. 结果表明,玉米茎表皮和叶中植硅石均为哑铃形,前者沿木质素导管方向顺向排列,后者为横向排列;经硝酸煮沸煅烧后,植硅石可以形成103nm左右的SiO2球,并随着煅烧温度的升高,纳米球逐渐交联.
关键词:
植硅石
,
玉米植株
,
纳米SiO2
