王静
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苏锵
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王淑彬
功能材料
研究了碱金属及碱土金属离子掺杂的荧光体Y2O3:Eu3+0.05,A+0.02(A=Li、Na、K)和Y2O3:Eu3+0.05,B2+0.02(B=Mg、Ca、Sr、Ba)的荧光、余辉发光及热释光特性.余辉光谱数据表明:杂质离子掺杂的荧光体Y 2O3:Eu3+的余辉发射主峰与未掺杂荧光体Y2O3:Eu3+的荧光发射主峰(611nm)一致,为经典Eu3+的5D0-7F2电偶极跃迁;杂质离子的引入明显地延缓了Y2O3:Eu3+的余辉衰减,其中Y2O3:Eu3+,A+(A=Li、Na、K)的余辉衰减趋势几乎完全一致,而Y2O3:Eu3+、B2+(B=Mg、Ca、Sr、Ba)的余辉衰减趋势由慢到快依次为Ca、Sr、Ba、Mg.热释光谱数据显示,杂质离子的掺杂导致基质中电子陷阱能级的生成,这是导致余辉衰减减慢的直接原因.Y2O3:Eu3+,A+的热释峰都位于175℃左右,相应电子陷阱能级深度为0.966eV左右;而Y2O3:Eu3+,B2+的热释峰由高到低分别位于192℃(Ca)、164℃(Sr)、135℃(Ba)、118℃(Mg),电子陷阱能级深度分别为1.003eV(Ca)、0.942eV(Sr)、0.880eV(Ba)、0.843eV(Mg).结合余辉衰减数据,可以看到,Y2O3:Eu3+,A+和Y2O3:Eu3+,B2+的热释光谱与相应荧光体的余辉衰减趋势吻合得十分好,由此可以得出,一定相同的条件下,热释峰值温度越高,杂质陷阱能级越深,相应荧光体的余辉衰减越慢.
关键词:
碱金属和碱土金属离子
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余辉
,
热释发光
,
Y2O3:Eu3+
林元华
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南策文
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张中太
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王雨田
无机材料学报
利用传统陶瓷制备方法合成了长余辉SrAl2O4:Eu,Dy发光粉材料,并利用热释发光-正电子湮灭法对该材料的发光性能及机理进行了研究.研究结果表明,掺杂的Eu在基质材料中主要充当发光中心,而Dy离子主要充当陷阱能级.正电子湮灭试验结果表明,Sr0.94Al2O4:Eu0.02和Sr0.94Al2O4:Eu0.02,Dy0.04存在带负电中心的缺陷,共掺杂的Dy3+进到Sr2+位,同时产生一定量的Sr空位.热释发光谱结果表明,单掺杂Eu离子的磷光体中缺陷陷阱深度较深,约为0.95eV.随着Dy的共掺杂,热释发光强度相应增加,陷阱深度降为0.51eV.对于长余辉发光机制,认为陷阱能级捕获的空穴与介稳态(Eu1+)*的复合,导致了长余辉现象的发生.并且由于陷阱深度的变化,导致余辉性能出现较大的差异.
关键词:
热释发光
,
positron annihilation
,
long afterglow
,
trap level
耿杰
,
吴召平
,
陈玮
,
罗澜
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.02.037
采用高温固相合成法制得了SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料.X射线衍射分析(XRD)结果表明:该磷光体为SrAl2O4晶体结构,属单斜晶系.其晶格常数为:a=8.4424A,b=8.822A,c=5.1607A,β=93.415.SrAl2O4:Eu2+,Dy3+发光材料的激发光谱和发射光谱均为宽带谱,激发谱峰位在300t450nm,发射光谱的峰值波长在518nm处.这一结果表明该材料的发光是由Eu2+的4f65d→4f7(8S7/2)宽带跃迁产生的.其余辉衰减由初始的快衰减和其后的慢衰减所组成.通过热释光谱对材料中的陷阱能级进行了分析,该材料中存在两个较深的陷阱能级,其深度分别为0.38和1.34eV.
关键词:
长余辉
,
光谱
,
热释发光
,
陷阱能级
林元华
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南策文
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张中太
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王雨田
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.01.033
利用传统陶瓷制备方法合成了长余辉SrAl2O4:Eu,Dy发光粉材料,并利用热释发光-正电子湮灭法对该材料的发光性能及机理进行了研究.研究结果表明,掺杂的Eu在基质材料中主要充当发光中心,而Dy离子主要充当陷阱能级.正电子湮灭试验结果表明,Sr0.94Al2O4:Eu0.02和Sr0 94Al2O4:Eu0.02,Dy0.04存在带负电中心的缺陷,共掺杂的Dy3+进到Sr2+位,同时产生一定量的Sr空位.热释发光谱结果表明,单掺杂Eu离子的磷光体中缺陷陷阱深度较深,约为0.95eV.随着Dy的共掺杂,热释发光强度相应增加,陷阱深度降为0.51eV.对于长余辉发光机制,认为陷阱能级捕获的空穴与介稳态(Eu1+)*的复合,导致了长余辉现象的发生.并且由于陷阱深度的变化,导致余辉性能出现较大的差异.
关键词:
热释发光
,
正电子湮灭
,
长余辉
,
陷阱能级
