刘磁辉
,
林碧霞
,
王晓平
,
刘宏图
,
傅竹西
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.05.016
本文采用高能离子注入技术将两种剂量的稀土元素钕(Nd)引入外延n-Si片中,并借助非相干光快速热退火(RTA)方法使注入层再结晶并电激活;利用深能级瞬态谱(DLTS)测量方法对Si中Nd离子的深能级行为进行了研究.结果发现:经几秒钟的RTA处理,Nd能在Si中被激活并形成深能级中心,测量到较宽的DLTS谱峰.Nd在n-Si中的深能级行为与Si衬底材料的浅能级杂质基本无关.在低于1285℃的RTA时,Nd形成的深能级中心均为施主型.深能级中心的位置随注入剂量和退火温度不同而有所变化;高温退火后,Nd在硅中有一个能级位置为Ec-(0.32±0.04)eV稳定的施主型深中心,对它的成因进行了讨论.
关键词:
Nd离子注入
,
n型Si
,
深能级
,
热退火
王圣来
,
李丽霞
,
胡小波
,
高樟寿
,
付有君
,
孙洵
,
李义平
,
曾红
功能材料
用X射线衍射和Raman光谱技术研究了KDP晶体165℃退火前后微观结构的变化.实验发现退火24h可以减小晶体生长过程中带来的晶格的畸变,提高了晶体的完整性,缩小晶体中键长和键角的变化范围,使晶体内应力得以部分释放.对于快速生长的晶体,退火的效果更加显著.
关键词:
热退火
,
KDP晶体
,
双晶X射线衍射
,
Raman光谱
郭中正
,
孙勇
,
段永华
,
周铖
,
彭明军
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2011.01.012
用磁控共溅射法制备含铌1.16%～27.04%(原子分数)的Cu-Nb合金薄膜,运用EDX,XRD,SEM,TEM,显微硬度仪和电阻仪对沉积态和热退火态薄膜的成分、结构和性能进行了研究.结果表明,Nb添加显著影响Cu-Nb合金薄膜微结构,使Cu-Nb薄膜晶粒细化,含铌1.82%～15.75%的Cu-Nb膜呈纳米晶结构,存在Nb在Cu中的fec Cu(Nb)非平衡亚稳过饱和同溶体,固溶度随薄膜Nb浓度增加而上升,最大值为8.33%Nb.随Nb含量增加,薄膜中微晶体尺寸减小,Cu-27.04%Nb膜微结构演变至非晶态.与纯Cu膜对比表明,Nb添加显著提高沉积态Cu-Nb薄膜显微硬度和电阻率,总体上二者随膜Nb含量上升而增高.Nb含量高于4.05%时显微硬度增幅趋缓,非晶Cu-Nb膜硬度低于晶态膜,电阻卒则随铌含量上升而持续增加.经200,400及650℃退火1h后,Cu-Nb膜显微硬度降低、电阻率下降,降幅与退火温度呈正相关.XRD和SEM显示,650℃退火后晶态Cu-Nb膜基体相发生晶粒长大,并出现亚微米级富Cu第二相,非晶Cu-27.04%Nb膜则观察到晶化转变和随后的晶粒生长.Nb添加引起晶粒细化效应以及退火中基体相晶粒度增大是Cu-Nb薄膜微观结构和性能形成及演变的主要原因.
关键词:
Cu-Nb合金薄膜
,
纳米晶结构
,
热退火
,
显微硬度
,
电阻率
张砚华
,
范缇文
,
陈延杰
,
吴巨
,
陈诺夫
,
王占国
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.018
利用光致瞬态电流谱(Optical Transient Current Spectrum OTCS)研究了热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响.实验结果表明原生和退火的LT-GaAs中都存在三个主要的深中心LT1、LT2、LT3,退火后各峰的相对强度变化很大,特别ILT1/ILT3=C由退火前的C＞＞1到退火后C＜＜1,退火温度越高,C值越小,这主要归因于热退火过程中砷的集聚与沉淀致使与砷反位缺陷AsGa及砷间隙Asi相关的LT1能级浓度的下降,反之,与镓空位VGa相关的LT3能级浓度上升.另外经800℃,10min热退火后,在LT2峰处出现了负瞬态,可能是由于高温退火条件下形成的大尺寸,非共格砷沉淀与GaAs基体间的结构缺陷造成的.
关键词:
热退火
,
低温MBE
,
GaAs
,
深能级中心
赵云
,
王兴涌
,
尹文萱
高分子材料科学与工程
分别采用LiF和2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉（BCP）作为聚3-己基噻吩（P3HT）/[6,6]-苯基-C61-丁酸甲脂（PCBM）体系聚合物光伏电池阴极界面层,研究了高温后退火处理对不同界面层器件性能的影响。研究发现,LiF界面层的引入,在活性层和阴极界面之间形成了较强的偶极作用,从而改善了电池的性能,进一步高温热退火处理后仍能保持良好的界面作用,使器件的能量转换效率得到了进一步的提高。然而BCP界面层的引入,虽然阻挡了金属电极Al到PCBM的电子转移,导致复合减小,提高了器件的开路电压,但是在进一步高温后退火之后,BCP界面层的完整性遭到破坏,因此使得器件的能量转换效率降低。
关键词:
聚合物光伏电池
,
热退火
,
阴极界面层
,
开路电压
,
能量转换效率
周小东
,
周思华
,
孙现科
材料热处理学报
利用金属蒸发真空多弧离子源(MEVVA源)注入机,将Au离子注入到高纯石英玻璃衬底中来制备Au纳米颗粒,Au离子注入的加速电压分别为20、40和60 kV,注入剂量为1×1017 ions/cm2,随后将注入样品在普通管式退火炉中700 ～ 1000℃退火处理.研究了注入条件和热退火参数对Au纳米颗粒的形成、生长、分布以及光学性能的影响.采用光学吸收谱、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对注人样品的光学性能、表面形貌和微观结构进行了测试和表征.实验结果表明,采用该低压离子注入结合热退火工艺的方法,所制备的Au纳米颗粒具有很强的局域表面等离子体共振特性,同时该方法也为制备尺寸和分布可控的Au纳米颗粒提供了一些新的参考途径.
关键词:
热退火
,
离子注入
,
Au纳米颗粒
,
生长
,
光学性能
薛清
,
李新华
,
卢佃清
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.04.032
报道了氢化非晶硅薄膜在600～620℃温度下快速退火10 s可以形成纳米晶硅,其拉曼散射表明,所形成的纳米晶硅在薄膜中的分布是随机的,其直径在1.6～15 nm内.根据晶体生长理论和计算机模拟,讨论了升温快慢与所形成纳米硅颗粒大小之间的关系,并且在强光照射下观察了纳米晶硅在薄膜中的结晶和生长情况.经退火形成的nc-Si可见光辐射较弱,不能检测到它们的光致发光,但用氢氟酸腐蚀钝化后则可检测到较强的红PL,并且钝化后的nc-Si在空气中暴露一定时间后,其辐射光波长产生了蓝移.就表面钝化和量子限制对可见光辐射的重要性作了讨论.
关键词:
光电子学
,
纳米晶硅
,
热退火
,
拉曼散射
邵乐喜
,
刘小平
,
谢二庆
,
贺德衍
,
陈光华
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.05.041
以氮气为反应气体,用射频反应溅射方法制备了AlN薄膜,结合XPS和XRD表征考察了热退火后处理对样品场电子发射性能的影响.实验表明,热退火是改善样品场发射稳定性的有效途径,样品经700C退火后,发射电流的涨落从未退火前的135μA下降到20μA;并且发射的开启电压、发射电流的涨落和滞后等对退火温度表现出强烈的依赖性.文中认为,退火处理造成了薄膜结构的变化,引起表面电子亲和势特性以及电导特性的改变,进而影响了其发射特性.
关键词:
AlN薄膜
,
场电子发射
,
热退火
,
滞后
王光伟
,
郑宏兴
,
马兴兵
,
张建民
,
曹继华
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.02.001
在覆盖SiO2的n-Si(100)衬底上,采用等离子体增强化学沉积法(PECVD)制备Si1-xGex薄膜材料.薄膜Ge含量x及元素的深度分布由俄歇电子谱(AES)测定.对Si1-xGex进行热退火处理,以考察退火温度和时间对薄膜特性的影响.薄膜的物相通过X射线衍射(XRD)确定.基于XRD图谱,利用Scherer公式计算平均晶粒大小.Si1-xGex薄膜载流子霍尔迁移率由霍尔效应法测定.数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近线性关系,从而得出PECVD-Si1-xGex薄膜的电输运特性基本符合Seto模型的结论.
关键词:
锗硅薄膜
,
等离子体增强化学沉积
,
热退火
,
晶相成核与生长
