李瑞
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张析
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张丹青
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向钢
材料导报
系统地分析了压强和温度在热蒸发法生长中对Si纳米线的产量和形貌结构的影响,并全面解析了用热蒸发法制备Ⅳ族纳米线的氧化物辅助生长机理.同时,对国内外采用热蒸发法制备第Ⅳ族半导体(Si、Ge、SiGe)纳米线的研究现状进行了详细介绍,并展望了其应用前景.
关键词:
热蒸发法
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第Ⅳ族半导体
,
Si纳米线
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Ge纳米线
,
SiGe纳米线
张旺玺
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梁宝岩
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王艳芝
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张艳丽
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孙玉周
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穆云超
人工晶体学报
利用高温反应烧结在不同结构碳材料表面热蒸发进行二氧化硅(SiO2)晶体的外延生长.采用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和电子能谱仪(EDS)分析和研究了碳材料表面生成物的物相组成与显微形貌,探讨了SiO2晶体的外延生长机理.研究结果表明,不同结构碳材料表面能外延生长SiO2晶体,但形态不同.在碳纤维表面形成颗粒和短晶须状SiO2晶体,在石墨片上形成凸起团聚状SiO2晶体,而在金刚石表面首先形成了Si-O涂层,然后在Si-O涂层上生长棒状SiO2体.碳材料外延生长SiO2晶体是首先通过热蒸发法使Si沉积到碳材料表面,然后Si与体系中的O反应形成SiO2晶核,在不同结构碳材料表面生长SiO2晶体.
关键词:
热蒸发法
,
碳材料
,
二氧化硅
,
异质外延生长
裴立宅
中国材料进展
doi:10.3969/j.issn.1674-3962.2007.06.003
硅纳米线作为一种新型的一维纳米材料,在纳米电子器件、光电器件及集成电路方面具有很好的应用前景.介绍了硅纳米线在制备方面的国内外研究现状与进展,重点讨论了基于金属催化气-液-固(VLS)生长机理、氧化物辅助生长机理的硅纳米线制备及模板法等制备硅纳米线的研究成果、特点及生长机理.与金属催化VLS生长机理相比,氧化物辅助生长硅纳米线不需要金属催化剂,能避免金属污染,保证了硅纳米线的纯度,因而是今后深入研究的方向.
关键词:
硅纳米线
,
激光烧蚀法
,
热蒸发法
,
模板法
,
生长机理
陈尔凡
,
张黎
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2008.06.001
采用热蒸发法制备出高纯度线状、棒状、多脚状的不同形态ZnO晶须材料.研究了氮气流量、反应温度、反应时间(保温时间)等因素对产物规整率、转化率及长径比的影响.利用SEM对产物形态进行表征.结果表明:采用不同条件的热蒸发法可制备出高质量不同形态的ZnO晶须.反应过程中锌蒸压气对产物形态的影响较大.以陈化锌粉为原料,在1000～1100℃保温较短的时间,并始终以0.2m3/h通入高纯氮气,得到棒状晶须;保温时间较长,得到线状晶须.而多脚状ZnO晶须则是在通入高纯氮气时间较短的情况下得到的.
关键词:
ZnO晶须
,
制备
,
不同形态
,
热蒸发法
李立珺
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.09.013
利用热蒸发法成功制备出了两种氧化锡纳米结构.利用X射线衍射法、拉曼光谱、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对两种纳米结构的晶格结构和表面形貌做了详细分析,结果表明所制纳米结构为金红石型氧化锡晶体结构,氧化锡纳米结构的形貌与实验中所用的源材料有着很大的关系.以氧化锡和碳粉的混合物为源,制备出的纳米线长且直,直径在50～200nm之间,以氧化亚锡和碳粉为源,制备出的纳米结构短且多弯折,直径在150nm左右.研究了所制氧化锡纳米材料的室温光致发光性能,发光峰位于590、630和677nm处.
关键词:
氧化锡
,
纳米结构
,
热蒸发法
,
X射线衍射
,
光致发光
栗粟
,
章晓中
人工晶体学报
使用无催化剂热蒸发法,在ZnO/Si薄膜衬底上制备了ZnO纳米线/纳米棒混合阵列.其中,纳米线的直径为10～20nm,纳米棒的直径为60～160 nn,二者混合在一起垂直生长于衬底表面.从衬底的上游到下游位置,混合,阵列中纳米线的含量逐渐下降,纳米棒逐渐增多.室温光致发光测试发现尺寸较小的纳米线阵列的紫外光发光强度比大尺寸纳米棒阵列高约5倍.持续激发光照射下,纳米线阵列的发光强度逐渐上升,停止光照后又逐渐下降到初始值,这可以用纳米线表面O2分子的解吸附和吸附过程来理解.
关键词:
ZnO纳米线
,
纳米棒
,
热蒸发法
,
光致发光
刘真
,
祝迎春
,
袁建辉
,
阮启超
,
马国宏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00216
纳米材料的本征性质与其结构密切相关,在纳米尺度操控材料并表征其结构是纳米科学与技术的关键.采用热蒸发法制备了一种四足结构Znse纳米晶,通过高分辨透射电子显微镜对这种四足ZnSe纳米晶的晶体结构进行了表征.该ZnSe纳米晶由一个四面体的立方晶核和四个沿[001]方向生长的六方相分枝构成.本研究对这种ZnSe纳米晶的形貌和结构进行了讨论,证明了在Znse纳米晶内两种晶相的共存.根据ZnSe的结晶学特性和晶相的温度稳定性,解释了这种四足结构纳米晶的生长机制:Znse的四面体立方晶核在高温区域形成后,ZnSe蒸汽在低温区继续沉积在晶核上形成四个六方相的分支足,最终形成了具有立方晶核的ZnSe四足纳米晶.
关键词:
热蒸发法
,
四足结构ZnSe
,
晶体
,
纳米科学
,
纳米技术
张克良
,
范新会
,
于灵敏
,
马雪红
,
严文
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.03.022
采用物理热蒸发ZnS粉的方法,制备出了大规模的线状和棒状ZnO纳米结构.借助扫描电子显微镜、透射电子显微镜、激光拉曼光谱仪以及荧光光谱仪研究了ZnO纳米线的表面形貌、内部结构及其光学性能.结果表明,所得到的ZnO纳米线是六方的单晶结构,而且具有较好的发光性能和良好的结晶性.纳米线长约2～5μm,直径约60nm,其生长机制为气-固(VS)机制.
关键词:
热蒸发法
,
氧化锌纳米线
,
光学性能
林金阳
,
王灵婕
,
张永爱
,
郭太良
人工晶体学报
利用磁控溅射在ITO电极上沉积氧化锌薄膜,以氧化锌薄膜为种子层,采用热蒸发法合成ZnO一维纳米材料,利用XRD和SEM方法对氧化锌一维纳米材料的微观结构进行分析,测试其场发射性能.结果显示,氧化锌纳米材料为钉子状结构,每个氧化锌纳米钉由几微米大的钉帽和细棒组成,垂直于基底生长.场发射性能研究表明它具有较低的开启场强,高的发射电流和好的稳定性,是一种优良的冷阴极电子发射源.
关键词:
氧化锌
,
热蒸发法
,
场发射
