余宏
,
谢泉
,
肖清泉
,
陈茜
功能材料
采用电阻式热蒸发方法和退火工艺制备出了Mg2Si半导体薄膜.研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响.首先在Si(111)衬底上沉积380nm Mg膜,然后在退火炉低真空10-1～10-2Pa氛围400℃退火,退火时间分别为3、4、5、6和7h.通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和拉曼光谱仪对薄膜的结构、形貌和光学性质进行了表征.结果表明,采用电阻式热蒸发方法成功地制备了半导体Mg2Si薄膜,Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的择优生长特性.最强衍射峰出现在40.12°位置,随着退火时间的延长,Mg2Si (220)衍射峰强度先逐渐变强后变弱,退火4h时该峰强度最强.在256和690cm-1附近有两个Mg2Si拉曼特征峰,退火时间为4和7h时,256cm-1附近Mg2Si拉曼特征峰较强.
关键词:
Mg2Si薄膜
,
热蒸发
,
退火时间
,
择优生长
白云帆
,
张晨阳
,
刘杨
,
龚晓丹
,
任山
材料导报
ZnO一维纳米材料由于在压电、光电等方面的优良性质,正引起广泛的关注.介绍了目前不用催化剂合成ZnO一维纳米结构的几种方法,其中包括热蒸发方法、金属-有机物化学气相沉积方法(MOCVD)和自组装生长等,同时对合成的一维ZnO纳米结构进行了分析,简单地比较了这几种制备方法的优劣.
关键词:
ZnO一维纳米结构
,
热蒸发
,
化学气相沉积
,
自组装
徐平川
,
曾体贤
,
王志红
人工晶体学报
采用真空热蒸发法技术制备CdSe薄膜,通过XRD、SEM、Hall效应和分光光度计测试了薄膜的结构、表面形貌、I-V特性和光学透过率.结果表明:CdSe薄膜(100)晶面的面间距为0.369 nm,晶粒大小约为10.2 nm,薄膜表面晶粒分布较为均匀；CdSe薄膜与锡和银的肖特基势垒高度分别为0.76V和0.69V；CdSe薄膜的光透过率在远红外区较高,且呈上升趋势；折射率随波长增加按指数规律减小；根据Tauc关系和Urbach规则,获得能量带隙为1.79 eV和Urbach能量为0.217 eV.
关键词:
CdSe薄膜
,
热蒸发
,
接触势垒
,
带隙能量
,
Urbach能量
张明
,
潘永强
,
陈佳
,
栗旭阳
,
杨飞
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.04.014
目的：研制具备高紫外光阻隔率、高红外光阻隔率、高可见光透射率的太阳隔热膜。方法依据标准大气光谱和隔热膜的基本原理给出理想隔热膜的透射率光谱曲线，在防止室内眩光的基础上给出太阳隔热膜的实用透射率曲线。通过对金属Ag薄膜光学常数的研究，提出基于介质ZnS和金属Ag的多层结构的选择反射型太阳隔热膜结构，利用TFC膜系软件设计三层结构的选择反射型太阳隔热膜并进行允差分析。采用热蒸发技术制备该选择反射型膜太阳隔热膜。结果隔热膜在0.3~0.38μm紫外波段的阻隔率达到99.2%，在0.38~0.78μm可见光波段的平均透射率为75.2%，在0.78~2.5μm 红外波段的阻隔率达到91 .2%，太阳能总隔热率为62.1%。结论研制的太阳隔热膜能在保证隔离紫外线辐射和红外热辐射的同时满足对可见光具有较高的透射率。
关键词:
太阳隔热膜
,
透射率
,
反射率
,
光学常数
,
热蒸发
,
隔热率
张凤
,
方新心
,
成霁
,
唐逢杰
,
金庆辉
,
赵建龙
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.增刊(Ⅱ).037
石墨烯由于其独特的电学特性受到关注,工艺的研究促使石墨烯材料的实际应用。着重于石墨烯场效应管关键工艺(目标衬底的预处理、石墨烯的转移、金属沉积、石墨烯刻蚀与退火)的优化。通过实验发现,衬底上硅醇基的密度以及碳氢化合物分子的大小对器件的性能有很大的影响；与热蒸发方式相比,溅射会对石墨烯引入更多的缺陷,降低器件性能；金属上石墨烯的接触电阻率为1.1×104Ω·μm,而金属下石墨烯的电阻率为2.4×105Ω·μm；应用射频和微波等离子体系统对石墨烯进行刻蚀,微波等离子体会造成石墨烯上的光刻胶碳化,使得光刻胶很难用丙酮去除；器件制备完成后,样品需要在(H2/Ar)还原性气氛中退火,以除去吸附在石墨烯表面的杂质,提高器件的性能。
关键词:
石墨烯
,
溅射
,
热蒸发
,
石墨烯转移
,
等离子体刻蚀
孙杰
,
高斐
,
权乃承
,
晏春愉
,
张佳雯
,
郝培风
,
刘立慧
材料开发与应用
doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2009.04.022
氧化亚铜(Cu2O)薄膜在太阳能电池及其它光电器件上有重要应用,它具有无毒、制备成本低、材料广泛易得等优点.制备Cu2O薄膜的方法主要有热蒸发、溅射、化学气相沉积和电化学沉积等,本文对Cu2O薄膜的制备方法进行了综述与展望.
关键词:
氧化亚铜薄膜
,
热蒸发
,
溅射
,
化学气相沉积
康海涛
,
李健
,
柴燕华
材料科学与工程学报
热蒸发制备Zn掺杂SnS2薄膜,研究不同Zn含量及热处理条件对薄膜的物相结构、表面形貌和光电性能的影响.实验给出用Sn:S=1∶1.08(wt)混合粉末沉积的薄膜,经380℃、15min热处理后得到简单正交晶系的SnS2薄膜;9(wt％)掺Zn后的薄膜热处理条件为370℃、20min.Sn、S和Zn分别以正4价、负2价和正2价存在于薄膜中.SnS2薄膜的直接光学带隙为2.12eV,掺Zn后为2.07eV;薄膜的电阻率从未掺Zn时的4.97×102Ω·cm降低到2.0Ω· cm,下降了两个数量级,所有SnS2薄膜导电类型均为N型.
关键词:
热蒸发
,
SnS2薄膜
,
Zn掺杂
,
热处理
,
特性
邵秋萍
,
张华
,
门传玲
,
田子傲
,
安正华
材料导报
采用热蒸发法在50℃、100℃、150℃这3种不同的基底温度下沉积CdS薄膜,且对150℃生长的CdS薄膜取样进行退火处理30 min,并对所有样品的微观结构和光学特性进行了分析.结果表明,不同基底温度下制备的CdS薄膜均具有(002)择优取向生长的特征,且随着基底温度的升高,(002)特征衍射峰强度增加,半高宽变小,相应薄膜结晶度增大,有利于晶粒的生长.最终发现,150℃生长且经过退火处理的薄膜具有较为明显的六方相CdS多晶薄膜结构和较优的光学性能,能满足高效CIGS薄膜电池中缓冲层材料的基本要求.
关键词:
CdS薄膜
,
热蒸发
,
微观结构
,
光学特性
原宏宇
,
苑梦尧
,
刘静
,
伊福廷
,
吴忠华
,
王焕华
,
张杰
材料科学与工程学报
作为一种直接带隙p型半导体材料,Cu2O在很多工业领域都有良好的应用前景,而Cu2O纳米棒因其一维纳米几何而具有更诱人的性能.然而缺少低成本的制备方式限制了Cu2O纳米棒的工业应用.为了解决这个问题,我们探索了热蒸发掠射角沉积加后退火处理的制备方法,成功获得了取向一致的多晶Cu2O纳米棒阵列薄膜,为Cu2O及类似材料的纳米棒薄膜的大规模工业化生产找到了一种低成本的制备技术.
关键词:
Cu2O
,
掠角沉积
,
热蒸发
,
后退火
,
纳米棒
