李金刚
,
杨德仁
,
马向阳
,
阙端麟
材料导报
总结了氢对直拉硅(CZ)单晶中缺陷影响的研究进展,主要介绍了氢促进氧扩散、热施主和氧沉淀生成,以及高温氢气退火促进直拉硅片空洞型缺陷消除的机理,其中氢促进硅中氧的扩散被认为是氢对直拉硅中的缺陷产生影响的主要原因.
关键词:
氢
,
氧扩散
,
热施主
,
氧沉淀
,
空洞型缺陷
王晓泉
,
杨德仁
,
余学功
,
马向阳
,
阙端麟
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.03.010
本文主要研究了在氢气下退火对掺氮直拉硅中热施主(TDs)和氮氧(N-O)复合体的影响.实验结果表明,在氢气下低温退火对热施主和N-O复合体的生成与在氩气下差不多.这说明低温氢退火注入到硅中的氢的量很少,不会对硅片的电阻率产生明显的影响.
关键词:
氢
,
退火
,
热施主
,
氮氧复合体
,
直拉单晶硅
