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张永刚 , 何友军 , 南矿军 , 李爱珍
稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.028
基于有限元方法和实际器件的材料和结构参数,对1.3 μm InAsP/InGaAsP脊波导多量子阱激光器和8 μm InAlAs/InGaAs/InP量子级联激光器等半导体激光器在CW以及各种脉冲驱动条件下的热场分布进行了模拟计算和分析,并对研制的实际器件采用变脉冲方法对其热特性进行了测量表征,实测与模拟所得结果相当吻合.
关键词: 半导体激光器 , 热场分析 , 热阻 , 有限元