欢迎登录材料期刊网
任丙彦 , 张志成 , 刘彩池 , 郝秋艳
材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.03.014
为了降低大直径CZSi单晶生长过程中氧的引入,采用不同的热场,通过最优化方法,得到了适于大直径(154mm)晶体生长的热场温度分布,使熔体的纵向温度梯度下降,热对流减小,硅单晶中氧含量降低.
关键词: CZSi , 氧含量 , 热场分布 , 热对流 , 数值模拟
