马汝广
,
刘丹敏
,
周身林
,
张久兴
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00743
采用氧直流电弧法制备了LaH2和PrH2粉末,然后利用放电等离子体烧结(SPS)技术制备了多晶的La0.4Pr0.6B6致密块体.系统分析了烧结温度对样品微观结构及性能的影响,研究结果表明:烧结温度高于1350℃时可形成La0.4Pr0.6B6纯相,且样品致密度随着烧结温度的升高而增加.所制备材料的密度、维氏硬度和抗弯强度的最大值分别达到4.82g/cm3、19.14GPa和225.13MPa;测试了40MPa、1400℃烧结样品的热电子发射性能,当阴极温度为1873K时最大发射电流密度为30.65A/cm2;利用Richardson直线法求出了所测试样品绝对零度时的逸出功φ0为2.165eV,并计算出了样品在不同加热温度时的有效逸出功φeff,其平均值为2.84eV.
关键词:
放电等离子体烧结(SPS)
,
多晶La0.4Pr0.6B6
,
热发射性能
,
有效逸出功φeff
王杨
,
张忻
,
张久兴
,
刘洪亮
,
江浩
,
李录录
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150587
以三元稀土硼化物Ce1-xGdxB6为研究对象,系统研究Gd掺杂对CeB6阴极材料热发射性能的影响规律.采用放电等离子烧结结合光学区域熔炼法成功制备了高质量的Ce1-xGdxB6(x=0～0.3)单晶体.借助360度Phi扫描单晶衍射仪对生长后的单晶进行了测试,结果显示单晶质量良好.采用劳埃定向仪确定出(100)晶面,并测试了该晶面在1673 K、1773 K、1873 K下的热电子发射电流密度.测试结果表明,Ce0.9Gd0.1B6成分单晶体具有最优异的热发射性能,在1873K工作温度下,4000 V电压条件下发射电流密度达到82.3 A/cm2,零场电流发射密度为24.70A/cm2,平均有效逸出功为2.30 eV,与相同条件下CeB6单晶体热发射性能(热发射电流密度为78.2 A/cm2,零场电流发射密度为13.32 AJcm2)相比,其具有更大的发射电流密度和更低的逸出功.因此,采用该制备技术获得的Ce1-xGdxB6单晶体具有良好的发射性能,作为热阴极材料将会有更好的应用前景.
关键词:
光学区域熔炼法
,
Ce1-xGdxB6单晶体
,
热发射性能
