祁英昆
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张溪文
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郝天亮
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董博
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沈鸽
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杜丕一
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翁文剑
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赵高凌
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韩高荣
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.04.011
本文通过热丝辅助等离子体增强化学气相沉积法(HF-PECVD)在单晶硅片和石英片衬底上分别成功生长了氮化硼薄膜材料.用X射线衍射(XRD和傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析了薄膜样品的结构和组成,用扫描电镜(SEM)观察了薄膜样品的表面形态,用紫外一可见光分光光度计(UV)研究了薄膜样品的紫外吸收特征,并确认薄膜样品的光学能隙.此外,本文还探讨了衬底的超声预处理在薄膜材料生长中所起的作用.
关键词:
氮化硼
,
热丝辅助等离子体增强化学气相沉积
,
紫外吸收
,
衬底预处理
