徐登辉
,
邓振波
,
张志峰
,
张梦欣
,
白峰
,
王瑞芬
中国稀土学报
将稀土铽配合物[Tb(m-MBA)3phen]2*2H2O作为发光材料应用于有机电致发光. 把铽配合物掺杂在PVK中经甩膜制得发光层, 并分别用AlQ和PBD作为电子传输层制作了两类有机电致发光器件. 器件1: ITO/PVK: [Tb(m-MBA)3phen]2*2H2O/ PBD/LiF/Al; 器件2: ITO/PVK: [Tb(m-MBA)3phen]2*2H2O/AlQ/LiF/Al, 研究了两种器件的电致发光性能, 并通过选择AlQ的厚度得到了发光性能较好的用AlQ作为电子传输材料的器件, 其最大亮度在20 V时达到140 cd*m-2.
关键词:
光学
,
电致发光
,
激子
,
稀土配合物
徐颖
,
邓振波
,
徐登辉
,
肖静
,
王瑞芬
中国稀土学报
合成了一种新型的稀土铽配合物材料Tb(p-MBA)3phen,把它作为发光材料应用于有机电致发光中.把铽配合物掺杂在导电聚合物PVK中采用旋涂法制得发光层,并利用AlQ作为电子传输层制作了单层、双层有机电致发光器件:器件1(ITO/PVK):Tb(p-MBA)3phen/Al;器件2(ITO/PVK):Tb(p-MBA)3phen/AlQ/LiF/Al,得到了纯正的、明亮的Tb3+离子的绿光发射,4个特征峰分别对应着能级5D4到7Fj(j=6,5,4,3)的跃迁,而PVK的发光完全被抑制.研究了两种器件的电致发光性能,并通过选择AlQ的厚度得到了发光性能较好的器件,其最大亮度在20 V时达到152 cd·m-2.
关键词:
铽配合物
,
电致发光
,
激子
,
稀土
肖静
,
邓振波
,
徐登辉
,
徐颖
,
王瑞芬
中国稀土学报
将新型稀土配合物TbY(m-MOBA)6(phen)2·2H2O掺杂到导电聚合物PVK中改善了铽配合物的成膜特性和导电性质.用此掺杂体系制作了单层发光器件,发现掺杂浓度为1:5,甩膜转速为1000r·min-1时器件的发光效果最好,起亮电压为9 V,最大亮度在17 V时达到15.7cd·m-2.对比[Tb(m-MOBA)3phen]2·2H2O的单层器件的发光,说明Y3+的存在促进了PVK到Tb3+的能量传递.
关键词:
电致发光
,
铽配合物
,
激子
,
稀土
丁瑞钦
材料导报
对近几年来几种掺铒硅基材料的发光特性及光致发光和电致发光的机理的研究进展作综合介绍,并对掺铒硅基材料发光今后的研究发展提出自己的一些看法.
关键词:
硅基发光
,
铒
,
激子
,
能量转移
王成艳
,
周勇
,
罗曼
,
刘兴云
,
鲁池梅
,
刘红日
,
王国洪
材料导报
以Zn(NO3)2·6H2O为初始原料,以乙二醇甲醚作溶剂,乙醇胺为沉淀剂,采用水热法制备了不同形貌的ZnO粉体.通过X射线衍射、扫描电镜、荧光光谱等测试手段对不同形貌的ZnO粒子进行了表征.SEM结果表明调节反应物浓度和反应温度能够控制ZnO的尺寸和形貌.荧光光谱测试表明ZnO的紫外发射峰住为399 nm,随反应温度升高而发生宽化和红移,而绿光发射峰在453～493nm之间分裂为4个次级峰.
关键词:
氧化锌
,
水热法
,
光致发光
,
激子
刘灿德
,
苏希玉
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.06.019
研究了外场驱动下非对称耦合量子点分子中激子的动力学行为.利用二能级理论分析了这个量子系统中激子的局域化现象,分析发现:激子的动力学行为主要发生在低能级子空间,它们构成了系统的两个局域态;当场强和频率是Bessel方程的根时,准能发生回避交叉,局域化现象发生,电子和空穴局域在初始状态,状态不随时间变化.数值计算也证明了这一点.同时还给出了电子和空穴的最大纠缠态随时间的演化.
关键词:
光电子学
,
量子点分子
,
激子
,
局域态
,
准能
,
Floquet态
张金凤
,
王海龙
,
龚谦
连铸
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2015.05.019
在有效质量近似下采用变分法计算了Cd1-xMnxTe/CdTe抛物量子阱内不同Mn组分下激子的结合能,给出了结合能在不同Mn组分下随阱宽、垒宽、外加电场的变化情况.结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后减小的趋势,而且随着Mn组分增大,激子结合能达到最大值的阱宽相应变小,这与材料的带隙改变有关;激子结合能随垒宽逐渐增大然后趋于稳定值,这与波函数向垒中的渗透有关;在一定范围内电场对激子结合能的影响很小,而且Mn组分越大对激子结合能影响越小,但电场强度较大时会破坏激子效应.计算结果可以为基于半导体抛物形量子阱发光器件设计制作提供一些理论依据.
关键词:
光电子学
,
结合能
,
变分法
,
激子
,
Cd1-xMnxTe/CdTe抛物量子阱
危书义
,
杨艳岭
,
夏从新
,
吴花蕊
,
赵旭
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.03.002
在有效质量和偶极矩近似下,考虑了由于压电极化和自发极化所引起的内建电场和量子点的三维约束效应,对纤锌矿对称AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN圆柱型应变耦合量子点中激子非线性光学性质进行了研究.计算结果表明,内建电场使吸收光谱向低能方向移动,发生红移现象,并且使吸收峰强度大大减小.量子限制效应使光吸收峰强度随着量子点尺寸的减小而增强,并且随着量子点尺寸的减小,吸收光谱发生蓝移现象.
关键词:
耦合量子点
,
激子
,
内建电场
,
光吸收系数
张希清
,
梅增霞
,
段宁
,
功能材料
用分子束外延在GaAs衬底上生长了CdTe/Cd0.8Mn0.2Te多量子阱结构.利用X射线衍射(XRD)、低激发密度下的PL光谱和变密度激发的ps时间分辨光谱研究了CdTe/CdMnTe多量子阱的结构和激子复合特性.在变密度激发的ps时间分辨光谱中,发现不同激发密度下发光衰减时间不同,认为它的机理可能是无辐射复合引起的.
关键词:
CdTe/CdMnTe
,
量子阱
,
激子
