李美成
,
殷景华
,
蔡伟
,
赵连城
,
陈学康
,
杨建平
,
王菁
功能材料
PtSi红外探测器是一种重要的光电器件,在军事和民用方面均起着非常重要的作用.高质量硅基PtSi薄膜的制备是高性能器件研制的基础.本文介绍了溅射、分子束外延、脉冲激光沉积和激光分子束外延等制备PtSi薄膜的方法.并评述了PtSi红外探测器的最新应用研究进展及发展趋势.
关键词:
红外探测器
,
纳米薄膜
,
脉冲激光沉积
,
激光分子束外延
张一清
,
王长征
,
张培明
,
郑立波
,
肖效光
,
张栋
功能材料
利用激光分子束外延方法(LMBE)在单晶Si(100)和玻璃基片上生长了ZnO薄膜.通过XRD谱、拉曼光谱和光致发光(PL)谱研究了ZnO薄膜的结构和光学性能.结果表明,ZnO薄膜具有六方纤锌矿结构,(002)衍射峰较强,c轴择优取向良好.在可见光范围,ZnO薄膜的平均透射率＞80%,而在紫外范围,平均透射率急剧降低.拟合得到ZnO薄膜的禁带宽度为3.31eV.随激发波长增加,PL谱峰位没有变化,但强度发生了变化.同时,随测量温度升高,紫外发光峰强度减弱,峰位红移,半高宽展宽.理论拟合得到ZnO薄膜的活化能为59meV,接近于ZnO体材料的激子束缚能(60meV),说明紫外发光是由自由激子辐射复合引起的.
关键词:
激光分子束外延
,
ZnO薄膜
,
光致发光
,
拉曼光谱
李雪飞
,
谢尚昇
,
何欢
,
符跃春
机械工程材料
采用激光分子束外延技术在Si（111）和Si（100）衬底上制备了AlN薄膜，研究了衬底温度和激光能量对薄膜物相结构和形貌的影响。结果表明：低的激光能量和高的衬底温度有益于薄膜的取向度和表面质量；激光能量为100mJ时，Si（111）衬底上的A1N薄膜呈单一的h-AlN（002）取向，Si（100）衬底上的薄膜在600℃时出现小的h-AlN（100）衍射峰，在700℃时呈微弱的h-AlN（002）取向；在Si（111）衬底上更易生长出取向度高的AlN薄膜。
关键词:
AlN薄膜
,
硅
,
激光分子束外延
,
晶体结构
姚海军
,
李燕
,
罗佳慧
,
姜斌
,
邓宏
,
蒋书文
功能材料
用激光分子束外延技术在SrTiO3(001)衬底上外延生长SrTiO3/BaTiO3多层膜,通过反射式高能电子衍射(RHEED)原位实时监测并结合原子力显微镜(AFM),研究了不同基片温度下所生长薄膜的表面平整度,利用X射线衍射(XRD)对外延薄膜进行了结构分析,结果表明薄膜具有二维生长模式,在基片温度为380～470℃之间生长的薄膜具有原子级光滑,并且具有完全C轴取向.同时运用X射线光电子能谱(XPS)研究了薄膜界面的互扩散,结果表明降低制备薄膜时的基片温度有利于减少互扩散.
关键词:
激光分子束外延
,
SrTiO3/BaTiO3
,
多层膜
,
反射式高能电子衍射
,
原子力显微镜
徐庆安
,
张景文
,
杨晓东
,
巨楷如
,
贺永宁
,
侯洵
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.010
在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250℃、300℃、350℃、400℃和450℃生长了高度C轴取向的ZnO薄膜.并进行了X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱的分析.测试结果表明,较低温度时,随着生长温度的升高,薄膜的结晶及发光性能得到提高;但是当温度进一步升高,却有所变差.说明利用L-MBE系统制备ZnO薄膜存在一合适的温度范围,并对此机理进行了深入分析.
关键词:
ZnO薄膜
,
生长温度
,
激光分子束外延
,
X射线衍射
,
光致发光谱
武德起
,
姚金城
,
赵红生
,
张东炎
,
常爱民
,
李锋
,
周阳
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.01.012
采用激光分子束外延法(LMBE)在P型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)Y(NiO)1-x-y,栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的能力.X射线衍射表明在HfO2中掺入Ni和Al元素明显提高了其结晶温度.原子力显微镜测试显示:在N2中退火后薄膜表面是原子级平滑连续的,没有发现针孔.900℃N2中退火后的薄膜在高分辨透射电镜下没有发现硅酸盐界面层.实验结果表明在氧化物薄膜与硅衬底之间引入Ni-Al-O置入层能够防止硅酸盐低介电界面层的生成,这有利于MOS晶体管的进一步尺度缩小.
关键词:
高介电栅介质材料
,
激光分子束外延
,
二氧化铪
