李振兴
,
刘相华
材料与冶金学报
doi:10.3969/j.issn.1671-6620.2009.03.018
首钢2160热轧带钢厂供电系统所带负荷既有交-交变频,也有交-直-交变频,还有直流传动,设备运行中将产生很大的无功冲击和谐波,需增设静止型无功补偿装置(SVC),本文针对生产工艺要求及设备的运行状态,计算了设备运行中的无功功率及无功补偿装置的容量,进行了谐波电流分析及滤波器的设计,介绍了静止型无功补偿装置的主要设备及技术特点,并给出了实际运行效果.
关键词:
无功冲击
,
谐波
,
静止型无功补偿
,
滤波器
郑严艳
,
江向平
,
江福兰
,
刘利华
稀有金属材料与工程
研究了Mn掺杂对(Na1-xKx)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷性能的影响,并利用该材料研制出中频无铅压电陶瓷滤波器.Mn掺杂改善了(Na0.8K0.2)0.5Bi0.5TiO3体系陶瓷的压电性能,当Mn含量达到0.3%(质量分数)时,d33达到135 pC/N,kp=31%,Qm=183,适用于制作滤波器.采用厚度振动模式,制作出插入损耗为5 dB,中心频率为520 kHz,带宽大于10 kHz,阻带衰耗大于30 dB的中频无铅压电陶瓷滤波器.器件性能接近于同类含铅陶瓷中频滤波器(SFH系列).
关键词:
(Na1-x)0.5Bi0.5TiO3
,
无铅压电陶瓷
,
Mn掺杂
,
滤波器
徐自强
,
杨邦朝
,
石玉
功能材料
采用低温共烧陶瓷(LTCC)介电/铁氧体复合异质材料是制备小型化多层片式EMI滤波器的关键,但实现异质材料的匹配共烧一直是研究的难点.通过调整流延配方和优化流延工艺,介质材料掺杂改性及采用三明治结构等方法对异质材料的共烧匹配性进行合理有效地调制,解决了异质材料低温共烧匹配技术难点,实现了LTCC异质材料良好的共烧兼容特性.EMI滤波器性能分析和测试结果表明,该滤波器的截止频率为85MHz,带外抑制≥30dB (250～2500MHz),达到设计要求.其外形尺寸为1.61mm×0.79mm×0.81mm,远小于传统的同类型滤波器.
关键词:
共烧
,
异质材料
,
滤波器
,
低温共烧陶瓷
苏根博
,
贺友平
,
李征东
,
江日洪
,
朱长武
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.01.008
为了提高硫酸镍晶体的生长效率和晶体制做滤波器元件的效率,我们发现一种生长圆柱形硫酸镍晶体α-NSH(α-NiSO4.6H2O)的新方法.用溶液降温法生长出直径30～40mm,长40mm的圆柱形大单晶,晶体(001)方向的生长速度控制在1～1.5mm/d.该法生长的圆柱形晶体在紫外波段有优良的光学性能,定向生长与一般的传统方法相比较,除了提高晶体生长效率6倍外,在制做滤光器元件的效率、时间和成本都有显著的优点.
关键词:
硫酸镍晶体
,
溶液生长
,
定向生长
,
滤波器
吴达军
,
何世明
,
刘兴钊
,
李言荣
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.04.010
采用脉冲激光沉积(PLD)法在(001)MgO基片上制备出高质量的SrTiO3(STO)薄膜,构建了Au/STO/MgO结构的叉指电容.在77K、10KHz条件下,对叉指电容的特性进行了测试,结果表明:在40kV/cm的直流电场作用下,电容值从1.75 pF减小为1.25 pF,电容值的相对变化率为28.5%.在此基础上,根据多层介质叉指电容保角变换模型.定量计算和仿真了STO薄膜的介电常数和微波频率下叉指电容的性能参数,并由此设计了一个三阶带通滤波器,该滤波器可实现13.50%的中心频率移动.
关键词:
STO
,
薄膜
,
介电性质
,
叉指电容
,
滤波器
张晓玲
,
孟庆端
,
普杰信
,
张雪强
,
何豫生
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.02.013
铁电薄膜的介电常数随外加电场强度的增加而减小.依据铁电薄膜的这一特性,提出了一种新颖的基于共面传输线结构的铁电薄膜可调带通滤波器.为了减小传输损耗,滤波器的导体部分由超导薄膜构成.滤波器的输入输出采用抽头线的方式分别与谐振器相接,外加电压通过输入输出端口直接施加到共面谐振器缝隙处的铁电薄膜上,用以改变铁电薄膜的介电常数,从而改变谐振器的谐振频率,实现带通滤波器通带频率的移动.这种新型可调带通滤波器具有结构紧凑、尺寸小及施加外加偏压容易等优点.仿真结果表明:铁电薄膜的介电常数在外加偏压下从250减小到150时,带通滤波器的传输特性曲线的形状基本保持不变,通带的中心频率从10.283GHz增加到10.518GHz,其3dB带宽保持在0.150GHz左右,反射损耗始终小于-17dB.
关键词:
铁电薄膜
,
介电常数
,
滤波器
,
可调带通滤波器
张海涛
,
齐臣杰
,
刘理天
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.019
用MEMS技术在硅基片上制作了微波集成滤波器,并提出一种三维电容,该电容用MEMS的深槽刻蚀技术实现三维结构.该电容面积只有平面电容的1/3.电感采用MEMS的背面腐蚀技术,去掉硅衬底,减少了衬底损耗,解决硅衬底电阻率不高的缺点.导体采用MEMS的准LIGA厚胶光刻和电铸工艺,使金属膜的厚度大大增加,减少导体损耗,从而提高电感的Q值.
关键词:
微波集成电路
,
滤波器
,
MEMS
,
三维电容
龙英
,
何怡刚
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.03.020
提出了一种新的开关电流高阶椭圆低通滤波器通用综合方法,该法遵循从RLC滤波器到有源RC滤波器,再到开关电容滤波器,最后到开关电流滤波器的顺序进行设计,方法简单易行.文中给出了5阶开关电流椭圆低通滤波器的设计实例,ASIZ仿真频率响应满足所需的频率技术要求.
关键词:
滤波器
,
有源RC
,
开关电容
,
开关电流
,
信号流图
汤亮
,
郝震宏
,
乔东海
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.01.005
提出了基于ZnO压电薄膜多层结构的2.4GHz射频薄膜体声波谐振器,并进行了研究.采用修正后的Mason等效电路模型对器件的谐振特性进行了分析和模拟.给出了采用MEMS工艺制备器件的工艺流程,并利用射频网络分析仪对实验器件进行了测试.利用多点数值拟合的方法消除射频测试中引入的寄生分布参数,提取出器件的实际参数:器件的串联谐振频率fs和并联谐振频率fp分别为2.3714GHz和2.3772GHz,相应的有效机电耦合系数为0.598%;串联谐振频率处和并联谐振频率处的Q值分别为500.3和425.5,f·Q值乘积达到1.2×1012.该谐振器器件的有效直径为200μm,样品实际尺寸为1.2mm×1.2mm×0.3mm,可用来制备体积小、高性能和低相噪的射频振荡器.
关键词:
薄膜体声波谐振器
,
振荡器
,
滤波器
,
双工器
,
射频微机电系统
何方方
,
许丕池
,
张忠仕
,
周元林
材料导报
电磁干扰(EMI)随着电子设备的高速发展成为越来越突出的问题,电子市场已经出台相应的电磁兼容(EMC)市场准入认证.今后的电子元器件及电子设备必须符合相应的市场准入认证.所以,Mn-Zn铁氧体作为电子行业的重要基础材料之一,必须加强抗EMI性能的研究.由于其本身具有吸收和衰减电波的电磁能量性质,成为民用和军事方面抗EMI的重要研究和应用材料.论述了抗EMI Mn-Zn铁氧体材料的主要性能指标,目前国内外已有的该类材料的主要种类,以及相关磁芯的种类及其应用领域.提出今后可能的主要研究或发展方向的见解,认为抗EMI Mn-Zn铁氧体材料和元器件应成为我国目前的重点发展方向.
关键词:
电磁干扰
,
电磁兼容
,
Mn-Zn铁氧体
,
滤波器
