顾骁坤
,
陈民
工程热物理学报
采用分子动力学方法研究了水在硅通道中的流动现象.通过模拟 Couette 剪切流动,得到了通道中流体的速度分布,同时考察了壁面吸附气体以及壁面具有纳米结构情况下的流动.模拟表明气体层以及微结构的存在可以改变硅表面的滑移性质,进而可以通过在壁面构造纳米结构以及在通道中充入气体来改变和控制纳米通道中的流体输运.
关键词:
硅通道
,
气体层
,
滑移长度
,
分子动力学模拟
肖建华
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柳和生
,
黄兴元
,
熊爱华
高分子材料科学与工程
采用壁面滑移方程和EVSS/SUPG混合有限元方法,使用PTT流变学基本方程,对粘弹性高分子熔体在不同气体辅助挤出口模内的流动进行了数值模拟研究.考察了口模滑移段长度对压力降和第一法向应力差的影响.研究表明,气辅挤出可以有效减小压力降,并将应力集中的位置由口模出口处转移到气体的注入点.且随着滑移段长度增大,压力降和应力集中的程度得到减小;熔体在100%完全滑移段口模中流动时无流动阻力、压力降和应力集中现象,是一种理想流动状态.
关键词:
气辅挤出
,
滑移长度
,
压力降
,
第一法向应力差
