陈建中
,
郭飞云
,
庄乃锋
,
林树坤
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.04.016
本文对硒酸氢铷(RbHSeO4,RHSe)晶体生长过饱和溶液的均匀成核过程进行了初步的研究.通过动态目视法测量RHSe过饱和溶液的诱导期,讨论过饱和比、温度对诱导期的影响,并根据经典均匀成核理论计算不同温度下的晶体表面张力、成核自由能和临界成核半径,为探讨RHSe单晶的水溶液生长的较佳条件提供依据.
关键词:
硒酸氢铷
,
均匀成核
,
诱导期
,
溶液生长法
