潘建国
,
关铁堂
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.010
马来酸氢十六酯(HHM)是一种长碳链酯晶体,晶面间距2d=5.85 nm,对软X射线有很好的衍射性能.它在苯和甲苯溶剂中表现很好的结晶性,增大溶剂的极性时明显地不利于HHM的结晶.以甲苯为溶剂,采用溶液降温法生长HHM单晶,控制晶体生长温度为32 ℃,降温速度为0.02 ℃/d,籽晶转速为6 r/min,经过约2周的生长时间,可以生长出30 mm×16 mm×1 mm的透明单晶体.HHM分子极易形成双分子缔合体,缔合体上由2个羧基组成的局域平面有利于分子的有序排列,这是HHM所以能表现出比其它长碳链酯有更好的结晶性的主要原因.
关键词:
X射线分光晶体
,
溶液晶体生长
,
马来酸氢十六酯HHM
,
有机晶体
闫智英
,
鲍慈光
,
杨宗璐
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.02.015
本文精确测定了pH值在1.4~3.0,温度在300.15~319.15K范围内氟铍酸三甘肽(简称TGFB)的溶解度,拟合出溶解度与pH值的经验方程.用静态体视显微法测定了溶液的pH值,溶液中杂质离子(FeF-36,SiF2-6)浓度及表面活性剂(十二烷基磺酸钠,十六烷基三甲基溴化铵)浓度与TGFB(110)晶面生长速率的关系曲线,并进一步讨论了它们的影响机理.
关键词:
氟铍酸三甘肽
,
杂质
,
表面活性剂
,
生长速率
,
溶解度
,
溶液晶体生长
常新安
,
王希敏
,
肖卫强
,
臧和贵
,
张克从
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.01.009
本文通过大量DKDP晶体亚稳相生长实验,对影响DKDP亚稳相生长体系稳定性、晶体生长速率和质量的因素进行了研究,并简要探讨了其影响机理,提出了消除或减弱不利影响的措施,为生长优质大尺寸DKDP晶体提供了依据.
关键词:
非线性光学晶体
,
DKDP晶体
,
亚稳相生长
,
溶液晶体生长
,
生长机理
王希敏
,
韦建环
,
张红
,
肖卫强
,
常新安
,
臧和贵
,
张克从
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.005
采用水溶液缓慢降温法生长了掺质为乳酸、异丙醇胺、L-丝氨酸、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺TGS系列晶体,研究了晶体生长形态,测定了晶胞参数、红外光谱和热释电性能.实验结果表明,所有掺质均已进入晶体,晶体生长形态和热释电性能随着掺质种类不同而发生不同的变化.掺L-丝氨酸TGS晶体的品质因子大于纯TGS晶体.
关键词:
掺质TGS系列晶体
,
溶液晶体生长
,
生长形态
,
热释电性能
苏根博
,
贺友平
,
姚宏志
,
吴锵金
,
史子康
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.01.004
LLTGS是掺入L-赖氨酸的改进的TGS晶体,用溶液降温法生长出60mm×27mm×14mm的透明单晶.热释电性能测试表明,晶体的自发极化、热释电系数和热释电优值大于纯态的TGS.测定X射线衍射主峰显示LLTGS晶体的晶胞参数大于纯态的TGS;讨论了结构对热释电性能的影响.我们认为TGS的热释电性能可以通过掺入L-赖氨酸分子得到改进,LLTGS晶体是一种有希望的红外探测材料.
关键词:
热释电晶体
,
LLTGS晶体
,
热释电性能
,
溶液晶体生长
朱洪友
,
谢小光
,
杨宗璐
,
刘复初
,
郁开北
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.04.011
在强酸性介质中,3,4-二乙酰基-2,5-己二酮与对氨基苯甲酸作用,满意地得到了4-(2,5-二甲基-3,4-二乙酰基)-1-吡咯基苯甲酸,用IR、1H NMR、高分辩质谱等对其进行了表征,用X射线衍射测定了晶体结构.该晶体属三斜晶系,P1空间群,a=0.80950(10)nm,b=0.81910(10)nm,c=1.1900(2)nm,α=101.600(10)°,β=98.820(10)°,γ=104.960(10)°,Z=2,Dc=1.364×103kg/m3.拟合了苯环平面和吡咯环平面的平面方程,并求出两平面之间的二面角为68.11°.
关键词:
吡咯基苯甲酸
,
3
,
4-二乙酰基-2
,
5-己二酮
,
晶体结构
,
溶液晶体生长
张克从
,
李波
,
王希敏
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.01.002
本文采用水溶液缓慢降温法生长了4种双有机取代基TGS系列晶体.双有机取代基分别为L-α-丙氨酸+乙酸,L-α-丙氨酸+丙酸,L-α-丙氨酸+乳酸,L-α-丙氨酸+异丙醇胺.系统地研究了有机双取代基TGS系列晶体的生长形态、晶胞参数、主要的介电、热释电和铁电性能参数等,发现这几种双有机取代基TGS晶体的品质因子有不同程度地提高.并从结构的角度出发探讨了双有机取代基对晶体生长形态和晶体性能的影响机制,提出了有机取代基分子本身的结构特征和有机取代基中的功能基团是影响TGS晶体形态和性能的两大因素.
关键词:
TGS晶体
,
双有机取代基
,
晶体生长形态
,
热释电性能
,
铁电性能
,
溶液晶体生长