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退火温度对硅基溅射银膜微结构和应力的影响

吴桂芳 , 宋学萍 , 杨成浩 , 江兵 , 孙兆奇

功能材料

用直流溅射法在硅(111)基底上制备银膜,膜厚为380nm.用BGS6341型电子薄膜应力分布测试仪对膜应力随退火温度的变化进行了研究,结果表明:膜应力随着退火温度的升高而增大,在400℃退火温度下膜应力变化明显.用MXP18AHF型X射线衍射仪测量了膜的衍射谱,对膜微结构随退火温度的变化进行了讨论.制备的Ag膜仍为面心立方结构,呈多晶状态,平均晶粒尺寸为23.63nm,薄膜晶格常数(0.40805nm)比标准样品晶格常数(0.40862nm)稍小.

关键词: 溅射镀膜 , 退火温度 , 薄膜应力 , 微结构

YSZ薄膜的制备及应用

潘礼庆 , 王岭 , 孙加林 , 洪彦若

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.019

研究了在NASICON基板上使用溅射法制备的YSZ薄膜的结构、晶相和导电性,实验表明,刚制备的YSZ薄膜经750℃常规退火处理后,薄膜表面致密、均匀、无裂纹,具备良好的导电性能.YSZ/NASICON组合再加上Ba(NO3)2辅助电极构成的NOX气体传感器在450℃下响应迅速(响应时间约为3min)、稳定,能检测到10ppm量级的NO2气体.

关键词: YSZ薄膜 , 固体电介质 , 电导率 , 气体传感器 , 溅射镀膜

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