许小红
,
段静芳
,
王芳
,
武海顺
,
李震
,
李佐宜
稀有金属材料与工程
在SmCo/Cr薄膜中,Cr底层的取向结构对薄膜的磁学性能有很大的影响.设计了4因素3水平的正交实验L9(34),并通过数理统计的方法分析了Cr底层的溅射参数对SmCo/Cr薄膜矫顽力的影响.用较少的实验得到Cr底层的最佳实验条件:靶基距为4 cm,功率为50 W,溅射气压为0.5 Pa,溅射时间为9 min.并发现了靶基距、功率和溅射气压对薄膜矫顽力的影响较大,其中靶基距是薄膜矫顽力最主要的控制因素.而溅射时间在所取的水平上对薄膜矫顽力的影响最小.本实验设计可达到95%的置信度.
关键词:
SmCo/Cr薄膜
,
矫顽力
,
Cr底层
,
溅射参数
范文娟
,
邹敏
,
常会
,
霍红英
,
万书权
材料热处理学报
利用磁控溅射法在FTO玻璃上制备了SnS薄膜.采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和紫外可见分光光度计对不同溅射参数下制备的SnS薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性能进行研究,确定出制备SnS薄膜的最优溅射参数.结果表明:溅射功率为28 W,沉积气压在2.5 Pa时,制备出的SnS薄膜在(111)晶面具有最好的择优取向,薄膜微观形貌呈单片树叶状,晶粒粒径约370 nm,晶粒分布均匀,薄膜表面光滑致密;最优溅射参数下制备的SnS薄膜的吸收系数可达到105 cm-1,比其他方法制备的SnS薄膜的吸收系数值高,禁带宽度为1.48 eV,与半导体太阳能电池所要求的最佳禁带宽度(1.5 eV)十分接近.
关键词:
磁控溅射
,
SnS薄膜
,
溅射参数
,
禁带宽度
范克彬
,
沈伟东
,
王立春
,
熊斌
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.01.012
利用正交设计分析了直流磁控溅射中溅射气压,衬底温度和N2浓度对SiO2/Si衬底上制备的AIN薄膜的(002)择优取向的影响水平.利用X-射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶向和表面形貌进行了分析,得到制备高度择优取向的A1N薄膜的最佳期望条件:衬底温度为250C,溅射气压为2Pa,N2浓度为75%;并得出了氮气浓度对薄膜的(002)择优取向的影响较大.具有择优取向的AIN薄膜的折射率约为2.06.
关键词:
氮化铝薄膜
,
正交设计
,
溅射参数
,
择优取向
段静芳
,
许小红
,
武海顺
,
李佐宜
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.05.012
采用直流磁控溅射法制备SmCo/Cr薄膜磁记录材料, 通过改变Cr底层制备过程中的功率、靶基距、溅射压强和溅射时间, 得到了磁性能不同的SmCo/Cr薄膜. 利用X射线衍射法对Cr底层晶面取向和磁控溅射参数之间的关系进行了研究, 结果表明: 如果改变溅射参数, 使沉积Cr原子获得较大的能量, 则有利于Cr底层最终以(110)晶面择优取向. 本实验中Cr底层以(110)晶面择优取向的最佳实验条件为: 溅射功率在50～70 W左右, 靶基距为6 cm, 压强为0.5 Pa, 溅射时间为15 min. 利用振动样品磁强计(VSM)测定SmCo/Cr薄膜的磁学性能, 结果表明, 如果Cr底层能以(110)晶面择优取向, 所得到的SmCo/Cr薄膜的磁学性能较好.
关键词:
铬底层
,
晶面取向
,
溅射参数
,
SmCo/Cr薄膜
,
矫顽力
王建省
,
裴文利
,
杨波
,
李松
,
任玉平
,
秦高梧
功能材料
利用磁控溅射在不同Ar气压下制备了不同膜厚的FePt薄膜。利用透射电镜（TEM）研究了溅射气压和膜厚对薄膜形貌的影响，利用振动样品磁强计（VSM）研究了溅射气压和膜厚对薄膜磁性能的影响。结果表明溅射气压和膜厚对溅射态单层FePt薄膜的表面形貌、颗粒尺寸有很大影响。随着溅射气压的增大，颗粒尺寸减小，从连续膜转变成颗粒膜；随着膜厚的增加，颗粒尺寸变大，从颗粒膜变成连续膜。通过调节溅射气压可以控制FePt的岛状结构，从而获得较理想的FePt颗粒薄膜。溅射气压和膜厚对经过热处理的L10-FePt薄膜的磁性能有很大影响。随着溅射气压增加，形核场由正值转变成负值，矩形比有增大趋势；随着厚度的增加，无序-有序相转变更充分。
关键词:
颗粒膜
,
L10-FePt
,
溅射参数
