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AZO热压靶材的制备及性能表征研究

王星明 , 白雪 , 段华英 , 孙静 , 卢世刚 , 黄松涛

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2011.03.015

以化学组成ZnO:Al<,2>O<,3>=98:2%的混合粉体为原料,采用热压烧结制备AZO靶材.研究了热压工艺条件对靶材致密化的影响.结果表明,热压温度与压力上升,靶材致密度增大;在AZO靶材的致密化过程中存在"反致密化"现象,这是由于连通气孔的合并与生长及闭合气孔率的升高引起的.在实验条件范围内,在热压工艺条件压力18 MPa、温度1150℃、保温保压时间90 min下.制备了AZO靶材.通过SEM观察热压靶材的断面形貌,阿基米德法测量靶材密度,水银压汞仪测量靶材的平均孔径及孔径分布,XRD测定靶材相结构,四探针测定电阻率等方法对AZO靶材的性能进行了分析表征,结果表明:结构为六方纤锌矿,密度为5.39 g·cm-<'-3>,靶材连通气孔率为0.05%,闭合气孔率为3.4%,电阻率为5.3×10<,-4>Ω·cm.采用射频溅射制备AZO薄膜,对靶材的使用性能及AZO薄膜性能进行了分析,表明靶材使用寿命大于150 W·h,薄膜在可见波段的平均透过率达到85.5%,电阻率达到3.1 x 10<,4>Ω·cm,满足薄膜太阳能对透明导电薄膜性能的要求.

关键词: AZO , 靶材 , 热压 , 溅射 , 薄膜太阳能

Ti对溅射纳米晶涂层高温氧化的影响

陈国锋 , 楼翰一

稀有金属材料与工程

对Ni-9.7Cr-5.5Al-7Ti溅射纳米晶涂层进行了空气中高温氧化实验,观察并分析了Ti的作用及影响.研究结果表明:由于涂层中相对较高的Ti含量,1 000℃氧化200h后生成了由α-Al2O3和TiO2组成的复杂氧化膜.TiO2的存在并没有降低涂层的抗高温氧化性能,而且生成的氧化膜与涂层基体有着很好的粘附性.这主要在于氧化初期生成的TiO2在随后氧化过程中没有发生长大,从而保证了保护性氧化膜的完整性.

关键词: 高温氧化 , Ni-Cr-Al-Ti , 溅射 , 纳米晶涂层

溅射Ni-Cr-Al-Ti涂层高温氧化过程中组织变化对生成TiO2的影响

陈国锋 , 楼翰一

稀有金属材料与工程

观察了溅射Ni-9.7Cr-5.5Al-7Ti(质量分数)纳米晶涂层在高温氧化过程中的组织变化,探讨了溅射涂层表面氧化膜以及涂层预氧化90min后磨去生成的氧化膜再重新氧化生成氧化膜中TiO2的生长,认为溅射涂层氧化过程中Ni3(AlTi)相的析出与TiO2的生成长大有着密切关系,对两种不同情况下Ni3(AlTi)相对TiO2生长的影响机制进行了分析.

关键词: Ni-Cr-Al-Ti , 高温氧化 , 溅射 , 纳米晶涂层 , 组织变化

粒子扁平现象研究现状及发展

杨焜 , 高玲 , 福本昌宏 , 李雪峰

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2008.02.025

热喷涂过程中熔滴在与基材撞击后的扁平及固化行为是形成涂层过程中的一个基本现象,因此,关于单个粒子扁平化行为的研究不可或缺.从等离子喷涂过程中基材预热温度、喷涂压强环境、材料润湿能力、基材的表面粗糙度、固化能力、脱附吸附能力等因素对粒子扁平化转变的影响,以及研究过程中自由下落试验和数值模拟方法的应用,概述了关于粒子扁平现象的研究现状.指出了未来关于粒子扁平化研究的发展趋势在于结合数值模拟和喷涂试验,以期找出粒子扁平化的控制因素.并解释了基材在较高的预热温度和低压条件下,盘状沉积为何更容易出现.

关键词: 等离子喷涂 , 扁平行为 , 溅射 , 盘状沉积

硅基石墨烯场效应管关键工艺研究

张凤 , 方新心 , 成霁 , 唐逢杰 , 金庆辉 , 赵建龙

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.增刊(Ⅱ).037

石墨烯由于其独特的电学特性受到关注,工艺的研究促使石墨烯材料的实际应用。着重于石墨烯场效应管关键工艺(目标衬底的预处理、石墨烯的转移、金属沉积、石墨烯刻蚀与退火)的优化。通过实验发现,衬底上硅醇基的密度以及碳氢化合物分子的大小对器件的性能有很大的影响;与热蒸发方式相比,溅射会对石墨烯引入更多的缺陷,降低器件性能;金属上石墨烯的接触电阻率为1.1×104Ω·μm,而金属下石墨烯的电阻率为2.4×105Ω·μm;应用射频和微波等离子体系统对石墨烯进行刻蚀,微波等离子体会造成石墨烯上的光刻胶碳化,使得光刻胶很难用丙酮去除;器件制备完成后,样品需要在(H2/Ar)还原性气氛中退火,以除去吸附在石墨烯表面的杂质,提高器件的性能。

关键词: 石墨烯 , 溅射 , 热蒸发 , 石墨烯转移 , 等离子体刻蚀

掺锡氧化铟陶瓷靶材在直流磁控溅射过程中“结瘤”的形成与演化

侯俊峰 , 李志友 , 周科朝 , 孙本双 , 姜鹤

人工晶体学报

以共沉淀ITO粉制备的陶瓷靶材为溅射靶,采用EDX、XRD、SEM研究了靶材在磁控溅射过程中“结瘤”的化学组分及物相组成,并对不同阶段“结瘤”的微观结构进行表征,探讨了“结瘤”的生长演化过程及形成机理.结果表明:“结瘤”与靶材基体具有相同的化学组成及物相结构,其生长演化分为锥状“结瘤”的形成及生长、锥顶外皮脱落、“结瘤”断裂、断面平滑、诱发新“结瘤”产生5个阶段.溅射过程中的“自溅射”效应使外来杂质颗粒和In2O3分解产生的InO在靶材表面形成的凸起逐渐长大并最终形成“结瘤”.

关键词: ITO靶材 , 结瘤 , 溅射 , 凸起

Cu2O薄膜的制备方法

孙杰 , 高斐 , 权乃承 , 晏春愉 , 张佳雯 , 郝培风 , 刘立慧

材料开发与应用 doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2009.04.022

氧化亚铜(Cu2O)薄膜在太阳能电池及其它光电器件上有重要应用,它具有无毒、制备成本低、材料广泛易得等优点.制备Cu2O薄膜的方法主要有热蒸发、溅射、化学气相沉积和电化学沉积等,本文对Cu2O薄膜的制备方法进行了综述与展望.

关键词: 氧化亚铜薄膜 , 热蒸发 , 溅射 , 化学气相沉积

硬盘磁记录介质的现状与发展

王翔 , 蔡长波 , 王可

材料导报

讨论了现有介质、新介质的材料与结构,以及其工艺技术的现状.并展望了高密度硬盘磁记录介质的未来.指出高密度、高信噪比S/N的硬盘介质要求有高的矫顽力和小的磁记录畴.

关键词: 硬盘 , 磁记录介质 , 记录面密度 , 薄膜 , 溅射

双靶溅射法制备M-SmS光学薄膜的研究

黄剑锋 , 曹丽云

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2004.01.001

为了制备难以直接获得的金属相SmS,以Sm和Sm2S3为靶材,采用双靶子溅射系统,于单晶Si基板上直接获得了常温常压下稳定存在的M-SmS微晶薄膜,并采用XRD分析、内应力和RBS成分测试等手段对M-SmS的形成机理进行了研究.结果表明:M-SmS薄膜的形成是由于薄膜中存在压应力,压应力的形成与薄膜基板温度、薄膜沉积速率、薄膜中Sm元素过量以及基板之间膨胀系数的差异有关.

关键词: SmS光学薄膜 , 溅射 , 机理 , 内应力 , RBS分析

溅射辅助微波等离子体化学气相沉积SiCN晶体

万军 , 马志斌 , 曹宏 , 吴振辉 , 汪建华

新型炭材料

在微波等离子体化学气相沉积系统中,利用脉冲氮离子束溅射二氰二氨靶产生的碳氮粒子作为合成前驱物,在石英玻璃基片上研究了SiCN晶体的合成.用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDX)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)研究了基片温度对薄膜的形貌、成分和结构的影响.结果表明:随着基片温度的降低,沉积物由截面为六方形的结晶良好的SiCN晶体(800℃)变成发育不完全的聚片状晶体(700℃),直到变成颗粒细小的无定形碳氮薄膜(550℃).衍射峰的强度以及晶胞参数a和c的值随温度的降低而减小.薄膜为C原子部分取代Si_3N_4中的Si原子位置而形成的SiCN晶体,其中N原子主要与Si原子结合,C原子以sp~3C-N、sp~2C=N和sp~2C=C键的形式存在.降低基片温度有利于提高薄膜中的C含量和sp~3C-N键的含量.

关键词: SiCN晶体 , 微波等离子体 , 溅射 , 二氰二氨

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