崔峰
,
肖奇军
,
吴校生
,
张卫平
,
陈文元
,
赵小林
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.053
为在Pyrex玻璃基片上湿法腐蚀出易于金属化(如电镀等)的深凹坑(或凹槽),选用HF:HNO3:H3O为腐蚀液,分别以Cr/Au(30nm/300nm,溅射)加光刻胶(15μm)和Cr/Pt(30nm/300nm,溅射)加光刻胶(15μm)作为掩膜进行腐蚀实验.实验发现在Cr/Pt/光刻胶掩膜下,Pyrex玻璃的腐蚀凹坑横向钻蚀小(钻深比1.34:1),侧壁倾斜光滑,并在凹坑(深约28μm)内成功地电镀了焊盘.该实验结果对要求高深宽比沟槽的微流体器件的制造也有一定参考意义.
关键词:
Pyrex
,
湿法腐蚀
,
掩膜
,
凹坑
,
电镀
赵丽伟
,
刘彩池
,
滕晓云
,
朱军山
,
郝秋艳
,
孙世龙
,
王海云
,
徐岳生
,
胡家辉
,
冯玉春
,
郭宝平
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.019
本文采用KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降低的,部分位错因相互作用而终止于GaN体内.观察缺陷腐蚀形貌还发现,接近裂纹处腐蚀坑的密度要高于远离裂纹处腐蚀坑的密度,围绕裂纹有许多由裂纹引起的位错.腐蚀坑的密度可以很好地反映GaN晶体的质量.晶体质量较差的GaN片,腐蚀后其六角腐蚀坑的密度高.
关键词:
GaN
,
湿法腐蚀
,
六角腐蚀坑
,
SEM
邵慧慧
,
李树强
,
曲爽
,
李毓锋
,
王成新
,
徐现刚
人工晶体学报
利用湿法腐蚀方法,制备出图形化蓝宝石衬底(PSS).在相同的腐蚀时间下,研究腐蚀液温度对腐蚀蓝宝石表面形貌和外延后GaN材料的影响.扫描电镜(SEM)测试结果表明:随着腐蚀液温度的增加,图形的深度增加.腐蚀后图形阵列排布整齐,所有图形都方向一致,这与蓝宝石本身晶体性质有关.腐蚀液温度对外延后GaN的影响也比较大,随着腐蚀液温度的增加,(002)半峰宽逐渐增加,光致发光谱(PL)发光强度逐渐增加.管芯结果表明,LED管芯的光强也逐渐增加.
关键词:
湿法腐蚀
,
蓝宝石图形衬底
,
GaN
,
外延层
林玲
,
王伟
,
徐安怀
,
孙晓玮
,
齐鸣
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.014
对柠檬酸系、盐酸系溶液腐蚀GaAs/InGaP异质结构材料体系时出现的腐蚀不均匀现象进行了实验研究,采用原子力显微镜(AFM)、电子显微镜、台阶仪等分析了不同腐蚀条件下GaAs/InGaP异质界面的腐蚀形貌,找到了简单有效的办法,可获得很好的表面平整度,同时侧向腐蚀也较小.
关键词:
湿法腐蚀
,
GaAs
,
InGaP
,
柠檬酸
张锦文
,
杨化冰
,
蒋巍
,
王龙
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.06.013
本文研究报道了Pyrex7740玻璃湿法腐蚀通孔技术.将四寸硅玻璃键合圆片的玻璃衬底减薄,并在玻璃上分别制备PECVD SiC、W/Au和PECVD多晶硅三种不同掩膜及其开口,最终利用40％ HF腐蚀实现玻璃通孔.整个工艺过程与IC工艺兼容,并可进行圆片级批量加工.观察并研究纵向和横向腐蚀过程和通孔形貌,对比三种不同腐蚀掩膜掩蔽效果.本文研究结果为圆片级密封封装及其它MEMS器件奠定了基础.
关键词:
Pyrex7740玻璃
,
湿法腐蚀
,
深宽比
,
腐蚀掩膜
肖婷
,
刘波
,
王新练
,
王春芬
,
任丁
材料研究学报
采用含异丙醇（IPA）的TMAH溶液腐蚀经Si_3N_4掩膜形成10μm×10μm窗口的单晶硅片。在硅片表面得到了内壁光滑的倒金字塔V型口阵列.研究发现：与纯TMAH对硅的各向异性腐蚀特性相比,添加IPA使TMAH溶液对硅各个晶面的腐蚀速率减小,致使含IPA的TMAH溶液对硅的腐蚀速率和各向异性因子比在纯TMAH中要小,通常认为,腐蚀形成的倒金字塔结构侧壁晶面为（111）面,但本研究表明,由各向异性腐蚀形成倒金字塔的侧壁晶面随腐蚀时间发生了一系列转化。在腐蚀开始时,倒金字塔侧面由（567）面逐渐向（111）面转化;继续腐蚀时,腐蚀面偏离（111）面,向（443）面转化。
关键词:
材料表面与界面
,
湿法腐蚀
,
TMAH溶液
,
倒金字塔结构
,
侧壁晶面夹角
王韬
,
屈新萍
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12306
在硅基太阳能电池表面制备减反层可以有效降低硅表面的反射率,提高吸收率,从而提高硅基太阳能电池的光电转换效率.本研究利用四甲基氢氧化铵(Tetramethyl Ammonium Hydroxide TMAH)溶液对(100)单晶硅进行各向异性腐蚀,在表面腐蚀出金字塔结构,得到了最低为6％左右的反射率.然后采用水热法在该衬底生长氧化锌纳米棒,得到了最低小于3％的反射率,比单采用腐蚀或者ZnO纳米棒生长的硅表面的反射率更低.这种减反方法工艺简单、高效,有望得到应用.
关键词:
减反层
,
四甲基氢氧化铵
,
湿法腐蚀
,
各向异性
,
ZnO纳米棒
梁静秋
,
李佳
,
王维彪
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.06.004
根据AlGaInP外延片的结构特点设计了LED型微显示器件的主要结构.利用Markus-Christian Amann等人提出的模型对器件电流注入后的空间分布进行了简单的理论分析,总结出了像素元和上隔离沟槽的理想尺寸分别是16 μm×16 μm和2 μm.简述了减薄GaAs衬底的作用,设计衬底电隔离沟槽宽度为5 μm.采用湿法腐蚀工艺进行器件结构制备,利用不同的腐蚀剂对金属层、p-GaP层、AlGaInP层和n-GaAs衬底层进行腐蚀.实验结果表明,腐蚀后的沟槽形貌较好,其深度和宽度可以达到设计要求.
关键词:
发光二极管阵列
,
微显示器件
,
隔离沟槽
,
湿法腐蚀
田招兵
,
张永刚
,
李爱珍
,
顾溢
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.012
采用了H3PO4/H2O2系化学腐蚀液对GSMBE外延的InGaAs/InP和InAIAs/InP材料湿法腐蚀特性进行了研究,研究了不同浓度和配比对于腐蚀速率和形貌影响.结果表明该腐蚀液体系具有良好的均匀性,腐蚀速率随浓度呈指数关系,表面形貌基本不受浓度影响.在增加腐蚀液中双氧水含量时,腐蚀速率先增大后减小,表面形貌良好;增加磷酸浓度腐蚀速率亦有增大趋势,表面出现尖锥状小丘.并对腐蚀液配比变化对腐蚀特性影响及腐蚀机理进行了讨论分析.
关键词:
InGaAs/InAlAs
,
湿法腐蚀
,
异质结
刘瑞文
,
焦斌斌
,
欧毅
,
陈大鹏
功能材料
研究了一种可抗高温强碱溶液腐蚀的氮化硅薄膜的等离子增强化学气相淀积(PECVD)生长工艺.通过X射线光电子能谱(XPS)、椭圆偏振仪、湿法腐蚀等手段分析了所生长薄膜的元素含量、折射率、抗腐蚀特性等性质随淀积工艺条件的改变所产生的变化.制备出的氮化硅薄膜可在高温强碱溶液(70℃、33.3% KOH溶液)中支撑12h而无明显变化,并实现自支撑全镂空薄膜.
关键词:
等离子增强化学气相淀积(PECVD)
,
SiNx薄膜
,
湿法腐蚀
