赵丽伟
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滕晓云
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郝秋艳
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朱军山
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张帷
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刘彩池
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.01.009
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在Si(111)衬底上外延生长不同厚度的GaN.外延层薄的GaN表面存在大量的V缺陷,并且V缺陷的两侧有相互平行的带状高坡;外延层厚的GaN表面没有V缺陷,表面平整且晶体质量高.位错处存在晶格畸变,杂质易于在此处聚集,达到一定浓度就会抑制晶体在此处生长而形成V缺陷.受位错附近应力场与气流的影响,V缺陷两侧出现带状高坡.生长时间延长,GaN表面的V缺陷就会被填满,带状高坡横向生长合并成为平整的表面.用m(KOH)∶m(H2O)＝1∶10的KOH溶液腐蚀后,平整的表面出现六角腐蚀坑,密度与原生坑密度相近,认为是原生坑被填满的位置腐蚀后再次出现.
关键词:
GaN
,
V缺陷
,
湿法化学腐蚀
,
六角腐蚀坑
龙腾江
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徐冠群
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杨晓生
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沈辉
材料科学与工程学报
硼扩散被广泛应用于n型硅基的p-n结制结工艺,然而硼扩散难免会在硅片表面形成一层很薄的的富硼层,该层由于富集无活性硼原子会严重影响电池性能.本研究制备HF-HNO3化学腐蚀液来去除富硼层,采用该方法去除富硼层后的硅片少子寿命从26.829μs增加到69.106μs;WCT-120测得一个光照下Vα从610mv增加到了625mv,发射极饱和电流密度显著降低;去除富硼层后的方块电阻均匀性表现良好,甚至比采用传统后氧化法更具优势.虽然反射率有细微增加,但是对于镀完氮化硅减反膜后腐蚀所带来的反射率升高只有0.13％,因此,认为该方法可以成功应用到富硼层的去除中.
关键词:
N型硅
,
富硼层
,
湿法化学腐蚀
