张丽伟
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卢景霄
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李瑞
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冯团辉
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靳锐敏
,
张宇翔
,
李维强
,
王红娟
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.037
本文先从理论角度说明了薄膜结构性能变化中存在"温度临界点",然后借助于XRD、Raman等测试仪器研究分析了Si薄膜、AZO薄膜在晶化过程、晶粒长大过程以及性能突变中的"温度临界点".结果显示:薄膜结构性能变化中确实存在"温度临界点";在"温度临界点"前后薄膜结构性能的变化规律曲线出现拐点.进而推论:薄膜的结构性能在随温度变化中"温度临界点"可能不止一个.
关键词:
温度临界点
,
薄膜结构
,
X射线衍射
,
拉曼光谱
