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氧分压对ZnO薄膜温差电动势的影响

材料导报

研究了氧分压对ZnO薄膜温差电动势的影响.用直流反应磁控溅射方法成功地制备了C轴取向性能良好的ZnO薄膜.实验研究发现,温差电动势和磁温差电动势随温度的变化呈线形关系.氧分压越大,温差电动势率越小.研究结果还表明,磁温差电动势比温差电动势小.

关键词: ZnO薄膜 , 温差电动势 , 磁温差电动势 , PVD , 温差电动势率

透明导电CdIn2O4薄膜透光率和Seebeck效应的研究

材料导报

利用直流磁控反应溅射法在Ar和O2气氛中从Cd-In合金靶上制备了三元化合物CdIn2O1薄膜(CIO),研究了不同氧浓度、基片温度和退火处理对CIO薄膜的透光率的影响以及由温差所产生的Seebeck效应,结果表明:氧浓度、基片温度越高,透光率越高;退火处理进一步提高了透光率,在可见光区域内膜的最高透光率高达95%.研究还发现,CIO薄膜的Seebeck效应非常的明显,温差电动势率最高值达0.16mV/K,这在实际应用方面有参考价值.

关键词: CIO薄膜 , 透光率 , Seebeck效应 , 磁控溅射 , 温差电动势率

稀土磷化物的温差电性质

孟建 , 任玉芳

材料研究学报

本文研究了LnP(Ln=La,Nd,Sm,Y)在低温和高温下的温差电性质.测量了它们的温差电动势率随温度变化的关系.在不同温度区间的温差电动势率与温度的关系而求出的活化能符合较好,说明LnP 是一种n 型半导体材料,它有较高的载流子浓度和较低的电阻率。有可能在温差电领域取得应用.

关键词: 稀土磷化物 , thermoelectric power coefficient , semiconducor