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后天抑制剂取向硅钢析出物的研究

吴忠旺 , 赵宇 , 李军 , 李波

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2012.07.012

采用“后天抑制剂法”制备取向硅钢,通过TEM研究热轧、常化、脱C和渗N阶段析出物的类型和分布.结果表明,热轧、常化和脱C板中的析出物主要是AIN颗粒,AlN颗粒在热轧、常化和脱C板中分布密度低;渗N后钢中形成非晶态Si3N4颗粒,非晶态Si3N4颗粒有多边形大块状和规则小四方形2种形貌,多边形大块状Si3N4颗粒分布在晶界,规则小四方形Si3N4颗粒主要分布在晶内.

关键词: 硅钢 , 析出物 , 渗N , Si3N4

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