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c轴取向SiC衬底MgB_2超导厚膜的制备及性质

孟胜 , 张从尧 , 冯庆荣

低温物理学报

通过混合物理化学气相沉积法(Hybrid Physical-chemical Vapor Deposition,简称HPCVD),我们在SiC衬底上制备出了c取向8μm厚的MgB_2超导厚膜.电性质测量表明其起始超导转变温度是41.4K,转变宽度为0.5K,剩余电阻比率RRR~7.磁性质测量表明5K和零场下样品的临界电流密度达到了1.7×10~5A/cm~2.

关键词: 混合物理化学气相沉积法 , MgB_2超导厚膜 , R~T曲线 , M~T曲线 , M~H曲线 , SEM图

Nb衬底MgB2超导膜的韧性研究

姚丹 , 谭腾 , 冯思敏 , 黄煦 , 孙玄 , 冯庆荣

低温物理学报

用混合物理化学气相沉积法(hybrid physics-chemical vapor deposition简称为HPCVD)在Nb衬底上生原位制备了平均厚度是1.5μm的MgB2多晶膜样品,其起始超导转变温度Tc(onset)=39.37K,转变宽度△Tc=0.45K.样品由大量六边型片状晶粒组成.对样品进行了韧性测试,可以发现膜在弯曲120°后,虽然弯曲面处出现了裂纹,但膜仍很牢固的附着在衬底上,其超导电性仍可保持.

关键词: 混合物理化学气相沉积法 , Nb衬底 , MgB2膜 , 韧性

MgB2/Ta多层膜的制备及性质

周章渝 , 侯雪 , 杨晓玲 , 陈会 , 王松 , 卢海秋 , 肖植芬 , 傅兴华

低温物理学报

本文应用磁控溅射技术(MS)和混合物理化学气相沉积法(HPCVD)在单晶Al2 O3基底上制备MgB2/Ta多层膜.通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和标准四线法对MgB2/Ta试样的表面形貌、晶体结构、超导特性及断面结构进行了测量研究.结果表明MgB2/Ta多层膜结构清晰,超导薄膜显示出良好的超导特性.

关键词: MgB2超导薄膜 , 钽薄膜 , 多层膜 , 混合物理化学气相沉积法 , 磁控溅射技术

MgB2薄膜的制备与特殊性质

吴桃李 , 王银博 , 张琰 , 陈晋平 , 冯庆荣

低温物理学报

本文报道了利用混合物理化学气相沉积方法(HPCVD)在SiC衬底上制备出约150 nm厚,结构均匀的MgB2薄膜.由R~T曲线知道样品Tc(0)高达40.1K由M~T曲线知道其Tc=40.4K,且曲线转变十分陡峭.X射线衍射分析表明薄膜具有较好的C轴取向,没有氧污染,却存在Mg的杂峰.由M~H曲线,利用毕恩模型计算得到了5 K零场条件下Jc(0T,5K)=2.7×106A/cm2,Hc2=19.5 T.这些结果表明过量的Mg对MgB2薄膜的转变温度以及有些性质有较大的影响.

关键词: 混合物理化学气相沉积法 , MgB2薄膜 , 转变温度Tc

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