刘磁辉
,
林碧霞
,
王晓平
,
刘宏图
,
傅竹西
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.05.016
本文采用高能离子注入技术将两种剂量的稀土元素钕(Nd)引入外延n-Si片中,并借助非相干光快速热退火(RTA)方法使注入层再结晶并电激活;利用深能级瞬态谱(DLTS)测量方法对Si中Nd离子的深能级行为进行了研究.结果发现:经几秒钟的RTA处理,Nd能在Si中被激活并形成深能级中心,测量到较宽的DLTS谱峰.Nd在n-Si中的深能级行为与Si衬底材料的浅能级杂质基本无关.在低于1285℃的RTA时,Nd形成的深能级中心均为施主型.深能级中心的位置随注入剂量和退火温度不同而有所变化;高温退火后,Nd在硅中有一个能级位置为Ec-(0.32±0.04)eV稳定的施主型深中心,对它的成因进行了讨论.
关键词:
Nd离子注入
,
n型Si
,
深能级
,
热退火
董少光
,
李炳乾
材料导报
确定了InN材料的带隙值并研究了影响InN材料带隙变化的导带电学结构和几个关键因素,以解释当前用不同方法生长不同质量的InN材料时出现的各种不同带隙值.用光致发光、光吸收和光调制反射方法测量确定InN材料的带隙值约为0.7eV;探讨了InN材料带隙与温度的函数关系,并分析了影响InN材料带隙的导带电学结构和有关因素.影响InN材料带隙的主要因素有Moss-Burstein效应、深能级俘获现象以及N:In化学计量比等,得出在不同质量样品和不同生长条件下,3种因素均影响InN材料的带隙值,但所起的作用却不尽相同.
关键词:
InN材料
,
带隙
,
Moss-Burstein效应
,
深能级
,
化学计量
滕家琪
,
闵嘉华
,
梁小燕
,
周捷
,
张涛
,
时彬彬
,
杨升
,
曾李骄开
人工晶体学报
详细阐述了光生电流瞬态谱(PICTS)的原理、结构和搭建过程,其中搭建过程中采用的激光器波长为730nm,功率为50 mW,测试温度范围在液氮温度至常温之间.利用低压垂直布里奇曼法制备了掺In的CdZnTe晶体样品,采用PICTS研究了样品中的主要缺陷能级,确定了能级位置在0.471 eV和0.15 eV的两个深中心,这两个缺陷分别可能是VCd2-和A中心(InCd+-VCd2-)-.
关键词:
PICTS
,
CdZnTe
,
深能级
,
缺陷
许小亮
,
何海燕
,
刘洪图
,
施朝淑
,
葛惟昆
,
Luo E Z
,
Sundaravel B
,
Wilson I H
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.04.002
我们最近报道了大剂量Al+注入原生GaN后对其光学性质的影响.表明Al+的注入可能产生了某种深能级电子陷阱,由于电子陷阱俘获导带电子,导致发光猝灭.而经一定条件的退火处理,可使深的电子陷阱发生变化,因而与缺陷间的跃迁相关的黄色荧光可得到一定程度的恢复.由于注入样品的电阻率高达1012 Ωcm, 因此不能用已有的常规方法测量.我们为此发展了一种称为"光增强电流谱"(PSCS)新方法,用于测量高阻样品中的深能级.研究发现,在经过快速退火处理的样品中,不能消除由于注入产生的准连续深能级带;而在某种常规条件退火的样品中,发现了5个位于导带下1.77eV, 1.24eV, 1.16eV, 0.90eV和0.86eV的深电子陷阱,它们都是Al+ 注入经退火后形成的稳定结构.实验发现退火使注入产生的准连续深能级带转变为独立的深能级结构,虽不能使GaN的本征发光得到恢复,但对黄色荧光的恢复是有利的.此研究有助于了解退火处理对离子注入的GaN的电学结构与发光产生的影响.PSCS的意义在于它适用于测量一切高阻半导体样品中与非辐射跃迁相联系的深陷阱能级,而不仅仅适用于测量Al+注入GaN产生的深陷阱能级.
关键词:
退火
,
离子注入
,
GaN
,
深能级
