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ECR Plasma CVD淀积光电器件介质膜的工艺模拟

谭满清 , 陆建祖 , 李玉鉴

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.028

以实验数据为基础,运用人工神经网络方法,建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECRPlasmaCVD)淀积硅的氮、氧化物介质膜的折射率、速率与气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)关系的数学模型,此模型在给定气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)时所预测的成模折射率跟实验值符合得很好,为ECRPlasmaCVD淀积全介质光学膜的工艺打下坚实的基础.

关键词: ECRPlasmaCVD , 人工神经网络 , 气流配比 , 折射率 , 淀积速率