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硅基β-SiC薄膜外延生长的温度依赖关系研究

贾护军 , 杨银堂 , 朱作云 , 李跃进

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.01.023

采用常压化学气相淀积(APCVD)工艺在1000～1400C温度范围内的(100)Si衬底上进行了β-SiC薄膜的异质外延生长.实验结果表明,随着淀积温度的升高,外延层由多晶硅向β-SiC单晶转变,结晶情况变好;但同时单晶生长速率却反而有所下降.

关键词: 外延生长 , β-SiC薄膜 , 淀积温度 , 结晶度