王应民
,
杜楠
,
孙云
,
张萌
,
蔡莉
,
李禾
,
程国安
,
徐飞
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.03.009
利用薄膜分析系统测量不同沉积时间制备的ZnS薄膜透射谱,通过分析薄膜透射谱,来确定ZnS薄膜光学常数和禁带宽度.实验结果表明,在线性生长阶段,薄膜的沉积速率大约为1 nm/min,具有很好的线性关系,沉积0.5 h的ZnS薄膜在可见光范围内光透过率为82%左右.
关键词:
化学水浴沉积法
,
ZnS薄膜
,
消光系数
,
禁带宽度
刘志龙
,
王玄玉
,
胡睿
,
董文杰
,
庞敏晖
,
白海涛
兵器材料科学与工程
为研究短切碳纤维分散均匀性对毫米波衰减性能的影响,分析团聚现象及原因,建立了分散均匀性表征方法,依据半波长谐振理论选取1.5、4.0 mm碳纤维为测试对象,制备了具有相同面密度、不同分散均匀性的短切碳纤维测试样板,并进行了3、8 mm波的衰减率测试.实验结果表明:短切碳纤维团聚对毫米波衰减影响显著,随着团聚纤维束增多、分散均匀性变差,短切碳纤维对毫米波衰减性能呈明显下降趋势.
关键词:
碳纤维
,
分散均匀性
,
毫米波
,
衰减
,
消光系数
杨晓红
,
王新强
,
马勇
,
冯庆
功能材料
WO3薄膜是良好的光学气敏传感器材料.采用溶胶凝胶法制备了WO3掺杂薄膜,对样品在不同浓度氢气气氛中的气敏光学性质、敏感度及响应时间进行了测试、分析和计算,并结合光传输理论给出了气敏薄膜的光学变化机制,理论分析与实验结论吻合.
关键词:
WO3薄膜
,
气敏
,
透光率
,
消光系数
朱映山
,
常海萍
工程热物理学报
本文采用FTIR光谱辐射计测量了金属Zr,Mo在高温状态下的辐射,通过基于Frsnel函数的优化算法,得到了Zr,Mo在红外波段的复折射率n-jx,实部n的最大估计误差约为6%,x(消光系数)的最大估计误差约为5%.高温的测量采用了实验室的专利紫外光子测温法.
关键词:
发射率
,
复折射率
,
消光系数
,
傅立叶变换红外光谱辐射计
,
菲涅耳公式
,
红外光谱
段远源
,
于海童
,
王晓东
,
赵俊杰
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2014.02.013
将分层颗粒的米氏散射理论应用于气凝胶体系,计算含水气凝胶的消光系数,并考虑气凝胶中的相关散射,使用几种已有模型对计算结果进行修正.计算结果与实验数据对比表明,考虑气凝胶含水对计算结果有所改进,而引入相关散射后计算结果改进不明显.
关键词:
气凝胶
,
消光系数
,
辐射热导率
,
米氏散射
,
相关散射
夏冬林
,
王慧芳
,
石正忠
,
张兴良
,
刘俊
影像科学与光化学
以高氢稀释的硅烷(SiH4)为反应气体,硼烷(B2H6)为掺杂气体,利用RF-PECVD方法,在玻璃衬底上制备出掺硼的氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了硼掺杂量对氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜的光学性能的影响.利用NKD-7000W光学薄膜分析系统测试薄膜的透射谱和反射谱,并利用该系统的软件拟合得出薄膜的折射率、消光系数、吸收系数等光学性能参数,利用Tauc法计算掺硼的非晶硅薄膜的光学带隙.实验结果表明,随着硼掺杂量的增加,掺杂非晶硅薄膜样品在同一波长处的折射率先增大后减小,而且每一样品均随着入射光波长的增加而减小,在波长500 nm处的折射率均达到4.3以上;薄膜的消光系数和吸收系数随着硼掺杂量的增大而增大,在500 nm处的吸收系数可高达1.5×105 cm-1.在实验的硼掺杂范围内,光学带隙从1.81 eV变化到1.71 eV.
关键词:
RF-等离子体增强化学气相沉积方法
,
非晶硅薄膜
,
折射率
,
消光系数
,
吸收系数
,
光学带隙
赵湘辉
,
魏爱香
,
招瑜
人工晶体学报
采用化学浴沉积法,以CdCl2·H2O、CS(NH2)2、NH4Cl、NH3·H2O和去离子水作为反应前驱物,在不同的氨水浓度下制备CdS纳米晶颗粒薄膜.通过扫描电镜、X射线衍射、X射线能量色散谱、紫外-可见光透射光谱、椭圆偏振光谱等方法,研究了反应前驱物中氨水浓度对CdS纳米晶颗粒薄膜的表面形貌、晶体结构、S/Cd原子比、光透过率、光学带隙、折射率、消光系数和光学吸收边等物理性能的影响.结果表明:反应前驱物中氨水浓度在0.4～1.0mol/L范围内,可以在衬底上形成均匀致密的CdS纳米晶颗粒薄膜.随着氨水浓度的增加,CdS纳米晶的平均晶粒尺寸逐渐减少,S/Cd原子比逐渐增加,由富Cd型转变为富S型,禁带宽度逐渐增加.在500～1000 nm波段内,折射率的平均值为1.75；消光系数k小于0.07.
关键词:
CdS薄膜
,
化学浴沉积
,
折射率
,
消光系数
,
光学带隙
郭立强
,
丁建宁
,
杨继昌
,
程广贵
,
凌智勇
,
董玉忠
功能材料
利用等离子体化学气相沉积系统,在射频源和直流负偏压源的双重激励下,保持射频功率、反应室气压、衬底温度、硅烷与氢气混合比以及总流量不变,改变直流负偏压从50～250V,在康宁7059玻璃衬底上制备了本征氢化纳米硅薄膜.利用拉曼散射仪表征了不同直流负偏压条件下薄膜微结构特征;利用Shmadzu UV-2450型光谱仪测试了薄膜样品透射图谱.研究发现提高直流负偏压将导致晶态比、沉积速率发生变化.薄膜的光吸收系数和消光系数随波长增加呈下降趋势;不同晶态比薄膜的悬挂键和有效载流子浓度、致密程度、键畸变程度和悬挂键数目的差异,致使晶态比增加,薄膜的吸收系数、消光系数在波长为400nm附近依次增加,光学带隙值从1.96eV减小到1.66eV.
关键词:
直流负偏压
,
消光系数
,
透射光谱
,
氢化纳米硅薄膜
