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SOI器件中浮体效应的研究进展

朱鸣 , 林成鲁 , 邢昆山

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.03.019

SOI(Silicon On Insulator)器件中氧化埋层的隔离作用带来的浮体效应,将显著地影响器件的性能.本文阐述了浮体效应产生的原因以及它对SOI器件和电路的影响,并从体接触和工艺角度两个方面介绍了目前国际上比较优异的抑制浮体效应的几种典型器件结构.

关键词: 浮体效应 , 翘曲效应 , 寄生双极晶体管效应 , SOI器件